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一种采用平面微线圈的GMR-MEMS集成弱磁传感器

摘要

一种采用平面微线圈的GMR-MEMS集成弱磁传感器,其中微压电桥的基座包括第一基座和第二基座,基座定在垫片上,垫片固定在绝缘基底上,桥身连接于第一基座和第二基座之间;压电片设置于桥身上并位于第一基座和第二基座之间;GMR敏感元件设置在桥身的下方并呈对称状布置,GMR敏感元件中磁力线聚集器包括第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器且之间留有间隙,GMR电阻包括构成惠斯通电桥的第一GMR电阻、第二GMR电阻、第三GMR电阻和第四GMR电阻,第一GMR电阻位于第一磁力线聚集器内,第二GMR电阻位于第二磁力线聚集器内,第三GMR电阻和第四GMR电阻位于间隙内;调制膜连接于桥身上处于与调制膜正对的位置处。本发明具有结构简单、噪声小、成本低廉、磁滞低等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN103323794B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;

    申请/专利号CN201310246989.X

  • 申请日2013-06-21

  • 分类号G01R33/09(20060101);

  • 代理机构43008 湖南兆弘专利事务所;

  • 代理人赵洪;周长清

  • 地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-15

    授权

    授权

  • 2013-10-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20130621

    实质审查的生效

  • 2013-09-25

    公开

    公开

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