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一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料

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摘要

本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料，其中SiGe的组份为：Si

1. 一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料 [P] . 中国专利： CN1133216C . 2003.12.31
2. 3－5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN1137521C . 2004.02.04
3. A method for the production of an integrated silicon - germanium - hetero bipolar trani gate and an integrated silicon - germanium hetero bipolar transistors [P] . 德国专利： DE10324065A1 . 2004-12-30

机译：一种集成的硅-锗-异质双极trani栅极和集成的硅-锗异质双极晶体管的生产方法。
4. Silicon-germanium base and a heterojunction bipoplar transistor with the silicon-germanium base [P] . 美国专利： US2002020852A1 . 2002-02-21

机译：硅锗基极和具有硅锗基极的异质结双极晶体管
5. Heterostructure FET consists of a silicon/silicon-germanium heterostructure layer arrangement with a gate contact zone formed as a pn- or np-diode contact made of semiconductor material [P] . 德国专利： DE10026553A1 . 2002-02-14

机译：异质结构FET由硅/硅锗锗异质结构层结构组成，栅接触区形成为由半导体材料制成的pn或np二极管接触