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3-5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法

摘要

本发明属红外探测器技术领域,具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延生长的Si1-xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。

著录项

  • 公开/公告号CN1137521C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN01113204.3

  • 发明设计人 张翔九;胡际璜;

    申请日2001-06-29

  • 分类号H01L31/109;H01L31/18;

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-08-27

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-02-04

    授权

    授权

  • 2001-11-21

    公开

    公开

  • 2001-10-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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