法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-05-08
授权
授权
2010-05-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/788 申请日:20080124
实质审查的生效
2008-11-05
公开
公开
机译: 在浮栅的侧壁上包括双隔离物的非易失性存储器件,包括该非易失性存储器件的电子器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译: 制造浮栅的方法和制造包括该浮栅的非易失性半导体存储器件的方法
机译: 制造浮栅的方法和制造包括该浮栅的非易失性半导体存储器件的方法