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公开/公告号CN114067848A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 昭和电工株式会社;
申请/专利号CN202110862757.1
发明设计人 佐藤亘;友末英树;渡边典久;
申请日2021-07-29
分类号G11B5/73(20060101);G11B5/725(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人沈娥;褚瑶杨
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 14:12:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/73 专利申请号:2021108627571 申请日:20210729
实质审查的生效
机译: 磁记录介质,磁存储装置和制造磁记录介质的方法
机译: 磁记录介质,制造磁记录介质和磁存储装置的方法
机译: 利用具有特定组合物,磁存储装置和制造磁记录介质的方法的相邻底层和磁性层的磁记录介质
机译:多孔氧化铝膜及其形成方法,磁记录介质和磁存储装置
机译:多孔氧化铝膜及其形成相同,磁记录介质和磁存储装置的方法
机译:磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质的专利发行
机译:超高真空溅射装置的磁记录介质的高分辨率。通过探针高分辨率磁记录介质。磁力显微镜。
机译:垂直磁记录介质的微磁研究
机译:自组装在垂直磁记录介质上的磁性纳米颗粒阵列
机译:通过使用Ni-Fe / Si n多层的垂直磁记录介质中后层在垂直磁记录介质中的软磁特性的改进。
机译:研究玻璃基板上的磁记录介质