退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN113917304A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院新疆理化技术研究所;
申请/专利号CN202111180529.2
发明设计人 余学峰;冯皓楠;崔江维;冯婕;张丹;梁晓雯;杨圣;蒲晓娟;
申请日2021-10-11
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构65106 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙);
代理人张莉
地址 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
入库时间 2023-06-19 13:52:41
机译: 垂直型jfet限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型jfet限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译: 垂直型JFET限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型JFET限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:在重离子撞击后进行伽马射线照射期间辐射硬化垂直双扩散金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的降解
机译:N沟道功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中电离辐射和高场应力效应的比较
机译:用热辐射和化学反应对垂直拉伸/收缩表面MHD双扩散对流的MHD双扩散对流的LIE组转换
机译:新场效应晶体管中的垂直传导:p型和n型垂直通道薄膜晶体管
机译:一种使用常关型碳化硅垂直结场效应晶体管作为使能技术的分布式电源架构的负载点转换器的设计方法。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:AB型预原碳化硅颗粒中辐射硫 - 32的证据?
机译:测量碳化硅双极结型晶体管的结至壳体热阻