一种栅控双极-场效应复合碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管

摘要

本发明公开一种栅控双极‑场效应复合碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的碳化硅VDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。该器件工作在关态时源区、基区和漂移区之间寄生的双极型晶体管不工作，防止二次击穿，器件的击穿特性与传统器件击穿特性相同；该器件工作在开态时，使得器件寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道，与此同时，器件的沟道同样能正常开启进行导电。因此，本发明在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，极大改善碳化硅晶体管的导通性能。