1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块

摘要

最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm~2SiC VJFET和23mm~2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下,获得2.7mΩ-cm~2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路,在600 V、100A、温度分别为25℃和150℃的条件下,得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1.25mJ。本报告详细介绍测试对开关性能、所采用的栅极驱动电路,以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。