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固态纳米孔制造方法和包括固态纳米孔的传感器

摘要

本发明公开了固态纳米孔制造方法和包括固态纳米孔的传感器,属于纳米孔技术领域。该制造方法包括以下步骤:在硅衬底的一面上沉积SiN层;分别在SiN层上和硅衬底的另一面上沉积SiO2层;在一面的SiO2层上制备抗蚀剂层,刻蚀这一面的抗蚀剂层和SiO2层形成刻蚀槽,该刻蚀槽使得SiN层的一面曝光,移除这一面的抗蚀剂层;在另一面的SiO2层上制备抗蚀剂层,刻蚀这另一面的抗蚀剂层和SiO2层形成刻蚀槽,两面的刻蚀槽对齐,这另一面的刻蚀槽使得硅衬底的另一面曝光,移除这另一面的抗蚀剂层;分别在两面的SiO2层上印刷金电极;从硅衬底的另一面曝光的部分刻蚀硅衬底,使得SiN层的另一面曝光;使用氦离子束穿过SiN层曝光的部分形成纳米孔。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2020109376203 申请公布日:20201215

    发明专利申请公布后的驳回

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