公开/公告号CN112038404A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN202010798596.X
申请日2020-08-11
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/36(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人张彦敏
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2023-06-19 09:06:00
机译: 互补的p和nMOSFET晶体管的制造方法,包括该晶体管的电子器件以及包括该器件的至少一个处理器
机译: 互补的p和nMOSFET晶体管的制造方法,包括该晶体管的电子器件以及包括该器件的至少一个处理器
机译: 具有v形沟道nMOSFET的器件的结构和制造方法