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第一章绪论
第二章HCI 效应及其研究方法
第三章HCI 效应参数测试系统设计
第四章MOS 器件可靠性分析及寿命模型
第五章MOS 器件特性测量结果及寿命推算
第六章结论与展望
参考文献
致谢
硕士期间论文发表情况
时丙才;
中国科学技术大学;
集成电路; NMOS器件; 热载流子效应; 产生机理; 可靠性; 失效分析; 寿命模型;
机译:深亚微米槽栅NMOSFET的结构与热载流子效应抗性的关系研究
机译:亚微NMOSFET的总剂量辐照和热载流子效应
机译:研究在具有台面隔离的Bi-MOS模式下工作的SOI nMOSFET中的热载流子效应
机译:承受横向循环载荷的,埋在地下水位以下(p-y)砂中的深层基础的使用寿命和使用寿命的可靠性。
机译:重新研究种子库寿命指数:通过埋葬实验和数据库分析证明可靠性有限
机译:可靠性的逻辑综合-控制电迁移和热载流子效应的早期开始
机译:可靠性 - 热载流子效应的VLsI设计
机译:通过可靠性监控和自我修复,增强可靠性和使用寿命
机译:密封材料膜的可靠性寿命的评价方法及膜的可靠性评价装置
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