具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元和逻辑器件及其制造方法

摘要

一种半导体衬底，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有多个向上延伸的鳍。一种存储器单元，其形成在鳍中的第一鳍上，并包括：在第一鳍中间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区沿第一鳍的顶表面和侧表面在源极区和漏极区之间延伸；沿沟道区的第一部分延伸的浮栅；沿沟道区的第二部分延伸的选择栅；沿浮栅延伸并且与浮栅绝缘的控制栅；以及沿源极区延伸并且与源极区绝缘的擦除栅。一种逻辑器件，其形成在鳍中的第二鳍上并且包括：在第二鳍中间隔开的逻辑源极区和逻辑漏极区，其中第二鳍的逻辑沟道区在逻辑源极区和逻辑漏极区间延伸；以及沿逻辑沟道区延伸的逻辑栅。