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具有梯度掺杂漂移区的分裂栅功率场效应晶体管设计

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摘要

探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程.对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析.结果表明通过优选器件结构参数,可以获得比较均匀掺杂漂移区更理想的电性能和更好的漂移区电场分布.

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来源
《集成电路应用》 |2018年第5期|35-37|共3页
作者
陈铭;
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作者单位

上海贝岭股份有限公司,上海 200233;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
集成电路设计; 梯度掺杂; 分裂栅MOSFET;

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