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公开/公告号CN111971424A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 胜高股份有限公司;
申请/专利号CN201980015952.1
发明设计人 横山龙介;杉村涉;
申请日2019-02-27
分类号C30B29/06(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨戬
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 08:58:14
机译: 硅熔体的对流模式控制方法,硅单晶制造方法以及硅单晶拉拔装置
机译: 硅熔体对流模式的控制方法和硅单晶的制造方法
机译: 硅熔体的对流模式的控制方法,硅单晶的制造方法以及硅单晶的拉拔装置
机译:通过利用弯液面力施加单晶硅层的低温层转移,在聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上制造金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用在单晶硅板上制造的不对称微通道产生高度均匀的液滴:乳化剂和油类型的影响
机译:液硅和长脉冲准分子激光制造的单晶硅TFT
机译:铍在硅质熔体中的地球化学收支以及超液相线,亚液相线和起始态对含水白云母熔体结晶动力学的影响。
机译:使用工具伺服驱动段车削法在单晶硅上制造六角微透镜阵列
机译:在sOI中制造的单晶硅灯丝:用于微制造的光度CO2传感器的潜在IR源