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硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法

摘要

一种硅熔液的对流模式控制方法,其具备如下工序:获取在无磁场状态下旋转的石英坩埚内的硅熔液表面上的与石英坩埚的旋转中心不重叠的第1测量点的温度;确认第1测量点的温度呈现周期性变化;及在第1测量点的温度变化成为规定的状态的时机,将施加于硅熔液的水平磁场的强度设为0.01T,然后提高至0.2T以上,由此将硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流的方向固定为一方向。

著录项

  • 公开/公告号CN111971424A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN201980015952.1

  • 发明设计人 横山龙介;杉村涉;

    申请日2019-02-27

  • 分类号C30B29/06(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨戬

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 08:58:14

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