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公开/公告号CN112074627A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-11
原文格式PDF
申请/专利权人 胜高股份有限公司;
申请/专利号CN201980015951.7
发明设计人 杉村涉;横山龙介;藤原俊幸;小野敏昭;
申请日2019-02-27
分类号C30B29/06(20060101);C30B15/22(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨戬
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 08:03:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-12
授权
发明专利权授予
机译: 硅熔体表面高度位置的计算方法,单晶硅的提拉方法及单晶硅的提拉装置
机译: 硅单晶硅提拉法的硅熔体表面高度位置的计算方法及硅单晶硅提拉法的装置
机译:九州大学材料研究所,开发高质量,低价的单晶硅生长方法,实现了50厘米大的晶体生长,实现了氧浓度小于或等于6 ppm,并扩展到功率器件
机译:通过施加电流和磁场控制单晶硅中的氧浓度(EMCZ方法)
机译:用Czochralski方法制造单晶硅棒冷却过程的数值分析
机译:单晶硅动态断裂强度的测试方法。
机译:使用工具伺服驱动段车削法在单晶硅上制造六角微透镜阵列
机译:液硅和长脉冲准分子激光制造的单晶硅TFT
机译:在单晶硅晶格中制备埋入式多孔硅 - geramanium层的方法