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硅熔液的对流模式推测方法、单晶硅的氧浓度推测方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置

摘要

一种硅熔液的对流模式推测方法,其具备:对旋转中的石英坩埚内的硅熔液,使用夹住石英坩埚配置的一对磁性体,施加强度0.2T以上的水平磁场的工序;在籽晶接触施加水平磁场的硅熔液前,测量硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过表面中心且与水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度,以及根据所测量的第1测量点及第2测量点的温度,推测硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向的工序。

著录项

  • 公开/公告号CN112074627A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN201980015951.7

  • 申请日2019-02-27

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B15/22(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨戬

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 08:03:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    授权

    发明专利权授予

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