通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应

摘要

本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)‑(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。