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一种MoS2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂的制备方法

摘要

一种MoS2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂的制备方法,通过CVD法在铜箔表面制备单层均匀石墨烯,通过湿法转移把单层石墨烯转移到二氧化硅基底表面,再通过两步CVD生长方法,在石墨烯表面生长MoS2,制备出MoS2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂,其中,石墨烯具有优异的导电性能,能加速MoS2表面电子的传输,且异质结能够提高界面处电子空穴的分离效率,将提高复合材料的光电催化效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111889112A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州紫芯光电有限公司;

    申请/专利号CN202010774780.0

  • 发明设计人 程琳;郑海红;许为中;王顺利;

    申请日2020-08-04

  • 分类号B01J27/051(20060101);B01J37/34(20060101);B01J37/06(20060101);B01J37/02(20060101);C23C16/30(20060101);C01B32/186(20170101);C01B32/194(20170101);C01G39/06(20060101);

  • 代理机构33296 杭州敦和专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人姜术丹

  • 地址 310000 浙江省杭州市江干区杭州经济技术开发区浙江理工大学11号楼223-137

  • 入库时间 2023-06-19 07:58:45

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