法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/872 申请日:20180522
实质审查的生效
2018-10-12
公开
公开
机译: p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译: 不包含AlGaN电子阻挡层的氮化镓基发光二极管为p型GaN,且薄
机译: p型ZnO基半导体层,ZnO基半导体层,p型ZnO基半导体层制造方法和ZnO基半导体层制造方法