一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法

摘要

本发明公开了一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法，包括：通过控制电极电压，将GaAs/AlGaAs异质结中的二维电子气形成量子点区域；针对量子点对称性和势阱形状的需求，在量子点区域上方，将电控势阱金属电极制备为与量子点区域大小相当的不同形状；使用半导体加工中的图形转移方法，将电控势阱金属电极制备到GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品上；对于制备好的GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品；如果为n型掺杂的半导体量子点样品，则在电控势阱金属电极上施加正电压来吸附电子；如果为p型掺杂的半导体量子点样品，则在金属电极上施加负电压来吸附空穴，从而产生不同种类的量子点。该方法通过顶栅电极的设计，加工制备的电控量子点势阱门电极具有良好的可操控性。