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张之桓; 丁召; 王一; 郭祥; 罗子江; 杨晨; 杨晓珊; 许筱晓;
贵州大学大数据与信息工程学院;
贵州财经大学计算机信息学院;
MBE; STM; S-K模式; InAs/AlGaAs/GaAs; 量子点;
机译:具有异质界面附近的InAs / AlGaAs量子点的AlGaAs / Zn(Mn)Se杂化纳米结构的分子束外延
机译:异质界面附近具有INAS / ALGAAS量子点的ALGAAS / ZN(MN)SE混合纳米结构的分子束表位
机译:MBE HYBRID的AlGaAs / ZN(MN)SE纳米结构的量子点INAS /的AlGaAs NEAR Heterovalent INTERFACE
机译:AlGaAs阻挡层中具有InAs量子点的AlGaAs / GaAs异质结构FET的存储操作
机译:半填充AlGaAs / GaAs二维电子系统中的量子输运
机译:通过在绝缘GaAs / AlGaAs量子阱的界面处插入超薄InAs层来调整Rashba / Dresselhaus自旋分裂
机译:Inas / alGaas双峰尺寸分布的近场光谱 量子点
机译:具有插入的薄alas势垒的调制掺杂alGaas / Gaas / alGaas量子阱中电子迁移率的大幅增加。
机译:利用AlGaAs插入层调节InGaAs量子点发射波长的方法。
机译:在沟道层和AlGaAs缓冲层之间具有掺杂AlGaAs层的金属半导体FET
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