一种提高蓝宝石基F‑P腔底部表面质量的MEMS工艺新方法

摘要

本发明属于微机电系统(MEMS)领域，涉及蓝宝石晶片的一种MEMS工艺新方法，尤其涉及使用蓝宝石晶片加工F‑P腔结构时，提高底部表面质量的MEMS工艺新方法。该方法首先通过在蓝宝石晶片上加工通孔，然后与另一蓝宝石晶片进行高温键合，最后通过对带有通孔的蓝宝石晶片进行减薄抛光，实现高光学质量的蓝宝石基F‑P腔腔体的制备。该方法实现了原蓝宝石晶片表面作为F‑P腔底部光学反射面，其F‑P腔底部的表面质量与原表面质量相同。有效提高了蓝宝石基F‑P腔底部的粗糙度和表面质量，提高了F‑P腔底部表面的光学性能，进一步提高了蓝宝石基光纤F‑P传感器的稳定性和精度。