首页> 中文会议>第五届全国微米/纳米技术学术会议 >提高MEMS侧壁陡度的一种新方法

提高MEMS侧壁陡度的一种新方法

摘要

随着微型机电系统(MEMS)的迅速发展,对生产MEMS的微细加工设备的需求也越来越大.本文重点介绍深度光刻机中的掩模和硅片间的菲涅耳衍射对侧壁陡度的影响,以及运用一种微阵列积分镜去平滑菲涅耳衍射效应,从而提高MEMS的侧壁陡度,最后给出了实验的结果.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号