用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法

摘要

描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一电介质层，然后在所述第一电介质层内形成沟槽。在衬底上形成第二电介质层之后，在所述第二电介质层的第一部分上的沟槽内形成第一金属层。然后在所述第一金属层上和在所述第二电介质层的第二部分上形成第二金属层。