North Carolina State University.;
机译:使用低于90 nm CMOS技术节点的潜在低成本前端工艺原位制造金属栅/高k介电栅叠层
机译:先进的高迁移率Ge通道金属氧化物半导体器件的栅堆叠技术-锗氧化物的基本方面以及等离子氮化技术在可扩展氮氧化物电介质制造中的应用
机译:W与Co-Al作为栅极填充金属,用于(子)22 nm技术节点的大规模替代高k /金属栅极器件
机译:使用非自对准栅极工艺的高K介电常数和栅极电极的器件制造和评估
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:后栅极介电处理对超临界流体技术对锗基金属氧化物半导体器件的影响
机译:金属栅电极和用于子32nm散装CMOS技术的高电胶:用于低阈值电压器件应用的氧化镧覆盖层的应用