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International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
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1.
RF characterization to accelerate time to product
机译:
RF表征加速产品的时间
作者:
Emam Mostafa
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
2.
Neutral beam technology — Defect-free nanofabrication for novel nano-materials and nano-devices
机译:
中性光束技术 - 新型纳米材料和纳米器件的无缺陷纳米制剂
作者:
Samukawa Seiji
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
3.
Stability analysis for UTB GeOI 6T SRAM cells considering NBTI and PBTI
机译:
考虑NBTI和PBTI的UTB Geoi 6T SRAM单元的稳定性分析
作者:
Hu Vita Pi-Ho
;
Ming-Long Fan
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
4.
Passivation of surface defects on InGaAs (001) and (110) surfaces in preparation for subsequent gate oxide ALD
机译:
在InGaAs(001)和(110)表面上的表面缺陷钝化以准备后续栅极氧化物ALD
作者:
Edmonds M.
;
Kent T.J.
;
Chang M.
;
Kachian J.
;
Droopad R.
;
Chagarov E.
;
Kummel A.C.
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
5.
Low-cost 3DIC process technologies for wide-I/O memory cube
机译:
用于宽I / O内存立方体的低成本3D过程技术
作者:
Jui-Chin Chen
;
Erh-Hao Chen
;
Pei-Jer Tzeng
;
Cha-Hsin Lin
;
Chung-Chih Wang
;
Shang-Chun Chen
;
Tzu-Chien Hsu
;
Chien-Chou Chen
;
Yu-Chen Hsin
;
Po-Chih Chang
;
Yiu-Hsiang Chang
;
Tzu-Kun Ku
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
6.
Size tunable Ge quantum dot phototrasnsistors for optical interconnects with high figure of merits
机译:
用于光学互连的尺寸可调电气铃声光标磁盘
作者:
Ming-Hao Kuo
;
Chung-Yen Chien
;
Po-Hsiang Liao
;
Wei-Ting Lai
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
7.
Inserted-oxide FinFET (iFinFET) design to extend CMOS scaling
机译:
插入氧化物FinFET(IFINFET)设计以扩展CMOS缩放
作者:
Peng Zheng
;
Connelly Daniel
;
Fei Ding
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
8.
Investigation of quantum-capacitance induced drain-current loss for multi-gate InGaAs n-MOSFETs
机译:
多栅极IngaAs N-MOSFET的量子电容诱导漏极电流损耗的研究
作者:
Hsin-Hung Shen
;
Chang-Hung Yu
;
Pin Su
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
9.
Process integration and 3D chip stacking for low cost backside illuminated CMOS image sensor
机译:
用于低成本后侧照明CMOS图像传感器的过程集成和3D芯片堆叠
作者:
Hsiang-Hung Chang
;
Zhi-Cheng Hsiao
;
Jen-Chun Wang
;
Chun-Hsien Chien
;
Cheng-Ta Ko
;
Chau-Jie Zhan
;
Yu-Wei Huang
;
Yu-Chen Hsin
;
Chung-Chih Wang
;
Pei-Jer Tzeng
;
Cha-Hsin Lin
;
Chia-Hsin Lee
;
Ting-Sheng Chen
;
Wei-Chung Lo
;
Tzu-Kun Ku
;
Yung-Fa Chou
;
Ding-Ming Kwai
;
Ming-Jer Kao
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
10.
Multi-channel magnetic transmission interface for 3D contactless connection
机译:
用于3D非接触式连接的多通道磁传输接口
作者:
Liang-Shun Chang
;
Yi-Che Yen
;
Kuei-Hung Shen
;
Ming-Jinn Tsai
;
Chrong Jung Lin
;
Ya-Chin King
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
关键词:
3D IC;
Contactless Connection;
Magnetic Transmission;
11.
Thin effective oxide thickness (~0.5 nm) and low leakage current gate dielectric for Ge MOS devices by plasma nitrided Al
2
O
3
intermediate layer
机译:
通过等离子体氮化Al
2 INM> O
3 IM>中间层,薄有效的氧化物厚度(〜0.5nm)和GE MOS装置的低漏电流栅极电介质。
作者:
Yi-Gin Yang
;
Bing-Yue Tsui
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
12.
III-V nanowire channel on Si: From high-performance vertical FET to steep-slope devices
机译:
SI III-V纳米线通道:从高性能垂直FET到陡坡装置
作者:
Tomioka Katsuhiro
;
Motohisa Junichi
;
Fukui Takashi
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
13.
A novel erase method for scaled NAND flash memory device
机译:
缩放NAND闪存设备的一种新型擦除方法
作者:
Chan-Ching Lin
;
Kuei-Shu Chang-Liao
;
Chen-Hao Huang
;
Yi-Chung Liang
;
Tzung-Bin Huang
;
Hann-Ping Hwang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
14.
STT-MRAM for low power systems
机译:
STT-MRAM用于低功耗系统
作者:
Endoh Tetsuo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
15.
Process optimization to reduce NiSi pipes and NiSi agglomeration on 28nm Nickel silicide LSA ms anneal process
机译:
处理优化以减少28nm镍硅化物LSA MS退火工艺的NISI管道和NISI团聚
作者:
Vijayaragavan Varadharajan
;
Fitz Clemens
;
Lepper Marco
;
Reisdorf Ralf
;
Jan Holub
;
Van Le
;
Willis Jim
;
Yun Wang
;
Awdshiew Michael
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
16.
Modeling active dimension for phase change memory cell
机译:
相位变化存储器单元的建模有源尺寸
作者:
Yihan Chen
;
Lining Zhang
;
Xinnan Lin
;
Mansun Chan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
17.
Highly robust self-compliant and nonlinear TaO
X
/HfO
X
RRAM for 3D vertical structure in 1TnR architecture
机译:
高强大的自我兼容和非线性TAO
X INF> / HFO
X ING> RRAM在1TNR架构中的3D垂直结构
作者:
Lin Y.D.
;
Chen Y.S.
;
Tsai K.H.
;
Huang Y.C.
;
Lin S.H.
;
Gu P.Y.
;
Chen W.S.
;
Chen P.S.
;
Lee H.Y.
;
Rahaman S.Z.
;
Hsu C.H.
;
Chen F.T.
;
Ku T.K.
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
18.
Electrostatic integrity and performance enhancement for UTB InGaAs-OI MOSFET with high-k dielectric through spacer design
机译:
高k电介质通过间隔设计的UTB Ingaas-OI MOSFET的静电完整性和性能增强
作者:
Vita Pi-Ho Hu
;
Sachid Angada B.
;
Chang-Ting Lo
;
Pin Su
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
19.
Readout circuits for silicon microphones
机译:
硅麦克风读数电路
作者:
Gaggl Richard
;
Bach Elmar
;
Wiesbauer Andreas
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
20.
Moving from thin films to atomic layers — Atomic layer etching
机译:
从薄膜移动到原子层 - 原子层蚀刻
作者:
Huffman Craig
;
Joseph Eric /A/.
;
PapaRao Satyavolu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2015年
21.
IMEC enables: Technology services for emerging economies, startups, academia
机译:
IMEC启用:新兴经济体,初创公司,学术界的技术服务
作者:
Peter Lemmens
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
22.
Key enablers for 3D sequential integration
机译:
用于3D顺序集成的关键支持者
作者:
Laurent Brunet
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
23.
Ultra-low power SoC for wearable IoT
机译:
超低功耗SOC for可穿戴和物联网
作者:
Uming Ko
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
24.
The opportunity for bulk GaN power device ??? Technology and application
机译:
散装GaN电源装置的机会???技术与应用
作者:
Zhen-Yu Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
25.
For your eyes only? UAV and DJI
机译:
只为你的眼睛?无人机和DJI.
作者:
Zexiang Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
26.
Self assembled ordered phthalocyanine monolayers on 2D semiconductors for subnanometer dielectric ALD nucleation
机译:
亚晶仪电介质ALD成核的2D半导体上自组装有序酞菁单层
作者:
Andrew C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
27.
Recent progress of 850nm VCSEL for oeic application
机译:
OEIC应用的850nm VCSEL的最新进展
作者:
Hao-Chung Kuo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
28.
Doherty techniques for 5G RF and mm-wave power amplifiers
机译:
5G RF和MM波功率放大器的深度技术
作者:
Patrick Reynaert
;
Yuhe Cao
;
Marco Vigilante
;
Paramartha Indirayanti
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
29.
Nickel-phosphide contact for effective Schottky barrier modulation in black phosphorus p-channel transistors
机译:
镍磷化镍接触黑色磷P沟道晶体管中有效肖特基势垒调制
作者:
Zhi-Peng Ling
;
Kausik Majumdar
;
Soumya Sakar
;
Sinu Mathew
;
Jun-Tao Zhu
;
K. Gopinadhan
;
T. Venkatesan
;
Kah-Wee Ang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
30.
Oxygen chemical potential profile optimization for fast low current (<10??A) resistive switching in oxide-based RRAM
机译:
氧气化学潜力型材优化用于基于氧化物的氧化物的快速低电流(<10→A)电阻切换
作者:
C. Y. Chen
;
L. Goux
;
A. Fantini
;
A. Redolfi
;
G. Groeseneken
;
M. Jurczak
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
31.
Functionality and reliability of resistive RAM (RRAM) for non-volatile memory applications
机译:
用于非易失性存储器应用的电阻RAM(RRAM)的功能和可靠性
作者:
G. Molas
;
G. Piccolboni
;
M. Barci
;
B. Traore
;
J. Guy
;
G. Palma
;
E. Vianello
;
P. Blaise
;
J. M. Portal
;
M. Bocquet
;
A. Levisse
;
B. Giraud
;
J. P. Noel
;
M. Harrand
;
M. Bernard
;
A. Roule
;
B. De Salvo
;
L. Perniola
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
32.
Corner spacer design for performance optimization of multi-gate InGaAs-OI FinFET with gate-to-source/drain underlap
机译:
具有栅极到源/漏极突出栅极的多门InGaAs-OI FinFET性能优化的转角间隔设计
作者:
Vita Pi-Ho Hu
;
Chang-Ting Lo
;
Angada B. Sachid
;
Pin Su
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
33.
Variable-length gateless transistor for analog one-time-programmable memory applications
机译:
用于模拟一次性可编程内存应用程序的可变长度无需无需无需无需无需晶体管
作者:
Po-Ruei Cheng
;
Chih-Sung Yang
;
Meng-Yin Hsu
;
Chrong Jung Lin
;
Ya-Chin King
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
34.
A compact model for the SET parameter variations of oxide RRAM array
机译:
氧化物RRAM阵列集参数变体的紧凑模型
作者:
Lingjun Dai
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
He Qian
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
35.
Effect of Ti buffer layer on HfOx-based bipolar and complementary resistive switching for future memory applications
机译:
Ti缓冲层对基于HFOX的双极和互补电阻切换的影响
作者:
Sk. Ziaur Rahaman
;
Yu-De Lin
;
Pei-Yi Gu
;
Heng-Yuan Lee
;
Yu-Sheng Chen
;
Pan-Shiu Chen
;
Kan-Hsueh Tsai
;
Wei-Su Chen
;
Chien-Hua Hsu
;
Po-Tsung Tu
;
Frederick T. Chen
;
Ming-Jinn Tsai
;
Tzu-Kun Ku
;
Pei-Hua Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
36.
Experimental demonstration of performance improvement with a strain boost technique tailored for 3-Dimensional structure on nano-scaled bulk pFinFETs
机译:
纳米块散装PFINFET上针对三维结构量身计量升压技术的性能改进实验证明
作者:
Ta-Chun Lin
;
Yun-Ju Sun
;
Ming-Huei Lin
;
Tomonari Yamamoto
;
Shyh-Horng Yang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
37.
Fine charge sensing using a silicon nanowire for biodetection
机译:
使用硅纳米线进行精细电荷检测生物纳米
作者:
Corentin Carmignani
;
Olivier Rozeau
;
Pascal Scheiblin
;
Aurélie Thuaire
;
Patrick Reynaud
;
Sylvain Barraud
;
Thomas Ernst
;
Severine Cheramy
;
Maud Vinet
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
38.
Mixed analog-digital pulse-width modulator for massive-MIMO transmitters
机译:
用于大规模MIMO发射器的混合模数脉冲宽度调制器
作者:
Yannis Papananos
;
Nikolaos Alexiou
;
Konstantinos Galanopoulos
;
David Seebacher
;
Franz Dielacher
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
39.
Wafer-level MOSFET with submicron photolysis polymer temporary bonding technology using ultra-fast laser ablation for 3DIC application
机译:
具有亚微米光解光解聚合物临时粘接技术的晶圆级MOSFET使用超快速激光烧蚀3DIC应用
作者:
Chuan-An Cheng
;
Yu-Hsiang Huang
;
Chien-Hung Lin
;
Chia-Lin Lee
;
Shan-Chun Yang
;
Kuan-Neng Chen
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
40.
Advanced metrology and inspection solutions for a 3D world
机译:
3D世界的先进计量和检查解决方案
作者:
Ingo Schulmeyer
;
Lorenz Lechner
;
Allen Gu
;
Raleigh Estrada
;
Diane Stewart
;
Lewis Stern
;
Shawn McVey
;
Bernhard Goetze
;
Ulrich Mantz
;
Raj Jammy
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
41.
ReRAM-based analog synapse and IMT neuron device for neuromorphic system
机译:
基于Reram的模拟突触和IMT神经形式系统的神经元装置
作者:
Kibong Moon
;
Euijun Cha
;
Daeseok Lee
;
Junwoo Jang
;
Jaesung Park
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
42.
Transient control of resistive random access memory for high speed and high endurance performance
机译:
电阻随机存取存储器的瞬态控制高速和高耐久性性能
作者:
Weijie Wang
;
Hongxin Yang
;
Victor Yiqian Zhuo
;
Minghua Li
;
Eng Keong Chua
;
Yu Jiang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
43.
Reliable high-voltage amorphous InGaZnO TFT for monolithic 3D integration
机译:
可靠的高压无定形Ingazno TFT用于整体三维集成
作者:
Ming-Jiue Yu
;
Ruei-Ping Lin
;
Yu-Hong Chang
;
Tuo-Hung Hou
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
44.
PMOS contact resistance solution compatible to CMOS integration for 7 nm node and beyond
机译:
PMOS接触电阻解决方案兼容CMOS集成7 NM节点及更短
作者:
C. -N. Ni
;
Y. -C. Huang
;
S. Jun
;
S. Sun
;
A. Vyas
;
F. Khaja
;
K. V. Rao
;
S. Sharma
;
N. Breil
;
M. Jin
;
C. Lazik
;
A. Mayur
;
J. Gelatos
;
H. Chung
;
R. Hung
;
M. Chudzik
;
N. Yoshida
;
N. Kim
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
45.
Doping technology for RRAM ??? Opportunities and challenges
机译:
Rram的兴奋剂技术???机会和挑战
作者:
Blanka Magyari-K?pe
;
Dan Duncan
;
Liang Zhao
;
Yoshio Nishi
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
46.
Electrical testing structure for stacking error measurement in 3D integration
机译:
用于堆叠误差测量的电气测试结构3D集成
作者:
Shih-Wei Lee
;
Shu-Chiao Kuo
;
Kuan-Neng Chen
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
47.
Investigation of local heating effect for 14nm Ge pFinFETs based on Monte Carlo method
机译:
基于蒙特卡罗法的14nm Ge Pfinfets对局部供热效应的研究
作者:
Longxiang Yin
;
Hai Jiang
;
Lei Shen
;
JunCheng Wang
;
Gang Du
;
Xiaoyan Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
48.
The road to a trillion: Making the IoT work
机译:
千万道的道路:使物联网工作
作者:
Rob Aitken
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
49.
Soft electronics for the human body
机译:
人体的软电子
作者:
John A. Rogers
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
50.
STT-MRAM memories for IoT applications: Challenges and opportunities at circuit level and above
机译:
STT-MRAM用于物联网应用的记忆:电路水平及以上挑战和机遇
作者:
Massimo Alioto
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
51.
Utilizing NVDIMM to alleviate the I/O performance gap for big data workloads
机译:
利用NVDIMM缓解大数据工作负载的I / O性能差距
作者:
Zili Shao
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
52.
New embedded memories, from lab to fab
机译:
新的嵌入式记忆,从实验室到FAB
作者:
David Eggleston
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
53.
InGaAs quantum-well MOSFETs for future logic applications
机译:
Ingaas量子 - 井MOSFET用于未来逻辑应用
作者:
Dae-Hyun Kim
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
54.
Collaboration and innovation for your success
机译:
为您的成功合作和创新
作者:
David Shih
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
55.
Performance evaluation of pass-transistor-based circuits using monolayer and bilayer 2-D transition metal dichalcogenide (TMD) MOSFETs for 5.9nm node
机译:
使用单层和双层2-D过渡金属二甲基(TMD)MOSFET进行5.9nm节点的通晶体管基电路的性能评估
作者:
Chang-Hung Yu
;
Jun-Teng Zheng
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Delays;
MOS devices;
Performance evaluation;
Logic gates;
Transistors;
Benchmark testing;
Field programmable gate arrays;
56.
Investigation and Comparison of Design Space for Ultra-Thin-Body GeOI/SOI Negative Capacitance FETs
机译:
超瘦身/ SOI负电容FET设计空间的调查与比较
作者:
Ho-Pei Lee
;
Chien-Lin Yu
;
Wei-Xiang You
;
Pin Su
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
57.
Extended abstract: Industrial performance to serve economical rebound
机译:
扩展摘要:为经济反弹服务的工业表现
作者:
Bertrand Bleneau
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
58.
High performance PMOS with strained high-Ge-content SiGe fins for advanced logic applications
机译:
具有用于高级逻辑应用的高性能PMOS具有应变高GE含量SIGE鳍片
作者:
Pouya Hashemi
;
Takashi Ando
;
Karthik Balakrishnan
;
Siyuranga Koswatta
;
Kam-Leung Lee
;
John A. Ott
;
Kevin Chan
;
John Bruley
;
Sebastian U. Engelmann
;
Vijay Narayanan
;
Effendi Leobandung
;
Renee T. Mo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Silicon germanium;
FinFETs;
Logic gates;
Silicon;
Strain;
Substrates;
Very large scale integration;
59.
Investigation and comparison of design space for ultra-thin-body GeOI/SOI negative capacitance FETs
机译:
超瘦身/ SOI负电容FET设计空间的调查与比较
作者:
Ho-Pei Lee
;
Chien-Lin Yu
;
Wei-Xiang You
;
Pin Su
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Silicon;
Iron;
Capacitance;
MOSFET;
Couplings;
Permittivity;
60.
Exploration and Evaluation of TCAM with Hybrid Tunneling FET and FinFET Devices for Ultra-Low-Voltage Applications
机译:
用于超低电压应用的混合隧穿FET和FinFET器件的TCAM探索与评估
作者:
Meng-Hsuan Tu
;
Yin-Nien Chen
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
61.
Semiconductor-On-Insulator lateral bipolar transistors for high-speed low-power applications
机译:
绝缘体内半导体侧向双极晶体管,用于高速低功耗应用
作者:
Jeng-Bang Yau
;
J. Cai
;
T. H. Ning
;
K. K. Chan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Integrated circuits;
Bipolar transistors;
Radiative recombination;
Silicon germanium;
Silicon;
Implants;
Resistance;
62.
Device-Architecture Co-Design for Hyperdimensional Computing with 3D Vertical Resistive Switching Random Access Memory (3D VRRAM)
机译:
具有3D垂直电阻切换随机存取存储器的超多维计算的设备 - 架构共设计(3D VRRAM)
作者:
Haitong Li
;
Tony F. Wu
;
Subhasish Mitra
;
H. S. Philip Wong
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
63.
I/O device optimization techniques tailored for highly-scaled FinFET technology
机译:
I / O设备优化技术针对高度缩放的FinFET技术进行量身定制
作者:
Ming-Huei Lin
;
Chung-An Hu
;
Chia-Cheng Chen
;
Tien-Shun Chang
;
Yun-Ju Sun
;
Hou-Yu Chen
;
Vincent S. Chang
;
Shyh-Horng Yang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
MOS devices;
Gold;
Frequency selective surfaces;
Ions;
Silicon;
Human computer interaction;
Junctions;
64.
Contact engineering and channel doping for robust carbon nanotube NFETs
机译:
用于强大的碳纳米管NFET的联系工程和通道掺杂
作者:
Jianshi Tang
;
Damon Farmer
;
Sarunya Bangsaruntip
;
Kuan-Chang Chiu
;
Bharat Kumar
;
Shu-Jen Han
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Doping;
Silicon;
Thin film transistors;
Gold;
Robustness;
Contact resistance;
Substrates;
65.
SELECTIVE ETCHING OF SILICON IN PREFERENCE TO GERMANIUM AND SI_(0.5)GE_(0.5)
机译:
硅的选择性蚀刻优先于锗和Si_(0.5)Ge_(0.5)
作者:
Christopher F. Ahles
;
Jong Youn Choi
;
Steven Wolf
;
Andrew C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
66.
Ion Implantation after Germanidation technique for Low Thermal Budget Ge CMOS devices: from Bulk Ge to UTB-GeOI substrate
机译:
低热经济型GE CMOS器件造稿后的锗化技术中的离子植入:从散装GE到UTB-GEOI衬底
作者:
Wen Hsin Chang
;
Toshifumi Irisawa
;
Hiroyuki Ishii
;
Hiroyuki Hattori
;
Hiroyuki Ota
;
Noriyuki Uchida
;
Tatsuro Maeda
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
67.
Device-architecture co-design for hyperdimensional computing with 3d vertical resistive switching random access memory (3D VRRAM)
机译:
具有3D垂直电阻切换随机存取存储器的超多维计算的设备 - 架构共设计(3D VRRAM)
作者:
Haitong Li
;
Tony F. Wu
;
Subhasish Mitra
;
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
High definition video;
Three-dimensional displays;
Kernel;
Measurement uncertainty;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
Computational modeling;
68.
Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
机译:
低热经济型GE CMOS器件造稿后的锗化技术中的离子植入:从散装GE到UTB-GEOI衬底
作者:
Wen Hsin Chang
;
Toshifumi Irisawa
;
Hiroyuki Ishii
;
Hiroyuki Hattori
;
Hiroyuki Ota
;
Noriyuki Uchida
;
Tatsuro Maeda
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
MOSFET circuits;
MOSFET;
Substrates;
Annealing;
Logic gates;
Ion implantation;
Junctions;
69.
Selective etching of silicon in preference to germanium and Si0.5Ge0.5
机译:
选择性蚀刻硅,优先于锗和Si0.5ge0.5
作者:
Christopher F. Ahles
;
Jong Youn Choi
;
Steven Wolf
;
Andrew C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
CMOS technology;
Logic gates;
Fabrication;
Plasma measurements;
Pressure measurement;
70.
Semiconductor-On-Insulator Lateral Bipolar Transistors for High-Speed Low-Power Applications
机译:
绝缘体内半导体侧向双极晶体管,用于高速低功耗应用
作者:
Jeng-Bang Yau
;
J. Cai
;
T. H. Ning
;
K. K. Chan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
71.
A High Accuracy and Robust Machine Learning Network for Pattern Recognition Based on Binary RRAM devices
机译:
基于二元RRAM设备的模式识别的高精度和强大的机器学习网络
作者:
Chen Liu
;
Runze Han
;
Sheng Zhang
;
Maochuan Li
;
Zheng Zhou
;
Peng Huang
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
72.
Analytical solution for RESURF and breakdown characteristics of finger STI DEMOS transistors
机译:
用于RESURF的分析解决方案和手指STI演示晶体管的击穿特性
作者:
H.C. Tsai
;
R.H. Liou
;
C.H. Lien
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Fingers;
Doping;
Transistors;
Electric fields;
Conformal mapping;
Semiconductor process modeling;
Electric potential;
73.
A Universal Model for Interface-type Threshold Switching Phenomena by Comprehensive Study of Vanadium Oxide-Based Selector
机译:
基于氧化钒选择器的综合研究界面型阈值切换现象的通用模型
作者:
Chih-Yang Lin
;
Ying-Chen Chen
;
Meiqi Guo
;
Chih-Hung Pan
;
Fu-Yuan Jin
;
Yi-Ting Tseng
;
Cheng Chih Hsieh
;
Xiaohan Wu
;
Min-Chen Chen
;
Yao-Feng Chang
;
Fei Zhou
;
Burt Fowler
;
Kuan-Chang Chang
;
Tsung-Ming Tsai
;
Ting-Chang Chang
;
Yonggang Zhao
;
Simon M. Sze
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
VO_x;
Selector;
Threshold Switching;
74.
On the physical modeling of random telegraph noise (RTN) amplitude in nanoscale MOSFETs: From ideal to statistical devices
机译:
在纳米MOSFET中随机电报噪声(RTN)幅度的物理建模:从理想到统计设备
作者:
Zexuan Zhang
;
Shaofeng Guo
;
Zhe Zhang
;
Runsheng Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Predictive models;
Charge carrier density;
Integrated circuit modeling;
MOSFET;
Dielectrics;
Turning;
75.
Integration of III–V nanowires for the next RF- and logic technology generation
机译:
III-V纳米线在下一个RF和逻辑技术的整合
作者:
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Nanowires;
Logic gates;
MOSFET;
Silicon;
Electrostatics;
Resistance;
76.
Occurrence and Solution to Overcome 1st RESET Resistance Pinning Effect in Ti/HfO_x based RRAM for Low Power Nonvolatile Memory Applications
机译:
发生和解决方案以克服基于TI / HFO_X的RRAM在低功耗非易失性存储器应用中的第1个复位电阻循环效果
作者:
Sk. Ziaur Rahaman
;
Heng-Yuan Lee
;
Yu-De Lin
;
Chien-Hua Hsu
;
Kan-Hsueh Tsai
;
Wei-Su Chen
;
Yu-Sheng Chen
;
Pang-Shiu Chen
;
Pei-Hua Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
77.
Occurrence and solution to overcome 1 RESET resistance pinning effect in Ti/HfOx based RRAM for low power nonvolatile memory applications
机译:
用于克服1个复位电阻循环效果的发生和解决方案,基于TI / HFOX基于RRAM的低功耗非易失性存储器应用
作者:
Sk. Ziaur Rahaman
;
Heng-Yuan Lee
;
Yu-De Lin
;
Chien-Hua Hsu
;
Kan-Hsueh Tsai
;
Wei-Su Chen
;
Yu-Sheng Chen
;
Pang-Shiu Chen
;
Pei-Hua Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Hafnium compounds;
Transistors;
Scalability;
Switches;
Switching circuits;
Buffer layers;
78.
Analytical Solution for RESURF and Breakdown Characteristics of Finger STI DEMOS Transistors
机译:
用于RESURF的分析解决方案和手指STI演示晶体管的击穿特性
作者:
H. C. Tsai
;
R. H. Liou
;
C. H. Lien
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
79.
A Novel Design of P-N Staggered Face-tunneling TFET Targeting for Low Power and Appropriate Performance Applications
机译:
用于低功耗和适当性能应用的P-N交错面部隧道TFET的新颖设计
作者:
E. R. Hsieh
;
Y. C. Fan
;
K. Y. Chang
;
C. H. Liu
;
C. H. Chien
;
Steve S. Chung
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
80.
Novel memory hierarchy with e-STT-MRAM for near-future applications
机译:
具有E-STT-MRAM的新型记忆层次结构,用于近期应用
作者:
Shinobu Fujita
;
Hiroki Noguchi
;
Kazutaka Ikegami
;
Susumu Takeda
;
Kumiko Nomura
;
Keiko Abe
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Program processors;
Servers;
Cloud computing;
Nonvolatile memory;
Performance evaluation;
Magnetic tunneling;
81.
Performance Evaluation of Pass-Transistor-Based Circuits using Monolayer and Bilayer 2-D Transition Metal Dichalcogenide (TMD) MOSFETs for 5.9nm Node
机译:
使用单层和双层2-D过渡金属二甲基(TMD)MOSFET进行5.9nm节点的通晶体管基电路的性能评估
作者:
Chang-Hung Yu
;
Jun-Teng Zheng
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
82.
Novel TFET circuits for high-performance energy-efficient heterogeneous MOSFET/TFET logic
机译:
用于高性能节能异构MOSFET / TFET逻辑的新型TFET电路
作者:
Daniel H. Morris
;
Uygar E. Avci
;
Kaushik Vaidyanathan
;
Huichu Liu
;
Tanay Karnik
;
Ian A. Young
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
TFETs;
MOSFET;
Performance evaluation;
Tunneling;
Pipeline processing;
Energy efficiency;
83.
On the Physical Modeling of Random Telegraph Noise (RTN) Amplitude in Nanoscale MOSFETs: From Ideal to Statistical Devices
机译:
在纳米MOSFET中随机电报噪声(RTN)幅度的物理建模:从理想到统计设备
作者:
Zexuan Zhang
;
Shaofeng Guo
;
Zhe Zhang
;
Runsheng Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
84.
1×- to 2×-nm MTJ switching at sub-3 ns pulses with compatible current in sub-20 nm CMOS for high performance embedded STT-MRAM
机译:
1× - 至2×-nm MTJ在Sub-3 NS脉冲中切换,具有兼容电流的高性能嵌入式STT-MRAM
作者:
Daisuke Saida
;
Saori Kashiwada
;
Megumi Yakabe
;
Tadaomi Daibou
;
Keiko Abe
;
Hiroki Noguchi
;
Junichi Ito
;
Shinobu Fujita
;
Miyoshi Fukumoto
;
Shinji Miwa
;
Yoshishige Suzuki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Magnetic tunneling;
Switches;
Resistance;
Cache memory;
Switching circuits;
Random access memory;
Power demand;
85.
Stressor design for FinFETs with air-gap spacers
机译:
带气隙垫片的压力仪设计的压力源设计
作者:
Darsen D. Lu
;
Angada B. Sachid
;
Yao-Min Huang
;
Yi-Ju Chen
;
Chun-Chi Chen
;
Min-Cheng Chen
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Air gaps;
FinFETs;
Stress;
Logic gates;
Silicon compounds;
Carbon;
Atmospheric modeling;
86.
A universal model for interface-type threshold switching phenomena by comprehensive study of Vanadium oxide-based selector
机译:
基于氧化钒选择器的综合研究界面型阈值切换现象的通用模型
作者:
Chih-Yang Lin
;
Ying-Chen Chen
;
Meiqi Guo
;
Chih-Hung Pan
;
Fu-Yuan Jin
;
Yi-Ting Tseng
;
Cheng Chih Hsieh
;
Xiaohan Wu
;
Min-Chen Chen
;
Yao-Feng Chang
;
Fei Zhou
;
Burt Fowler
;
Kuan-Chang Chang
;
Tsung-Ming Tsai
;
Ting-Chang Chang
;
Yonggang Zhao
;
Simon M. Sze
;
Sanjay Banerjee
;
Jack C. Lee
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Guidelines;
Contacts;
87.
Novel TFET Circuits for High-Performance Energy-Efficient Heterogeneous MOSFET/TFET Logic
机译:
用于高性能节能异构MOSFET / TFET逻辑的新型TFET电路
作者:
Daniel H. Morris
;
Uygar E. Avci
;
Kaushik Vaidyanathan
;
Huichu Liu
;
Tanay Karnik
;
Ian A. Young
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
88.
Contact Engineering and Channel Doping for Robust Carbon Nanotube NFETs
机译:
用于强大的碳纳米管NFET的联系工程和通道掺杂
作者:
Jianshi Tang
;
Damon Farmer
;
Sarunya Bangsaruntip
;
Kuan-Chang Chiu
;
Bharat Kumar
;
Shu-Jen Han
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
89.
Industrial performance to serve economical rebound
机译:
工业表现,以提供经济反弹
作者:
Bertrand Bleneau
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
90.
Integration of III-V Nanowires for the next RF- and logic technology generation
机译:
III-V纳米线在下一个RF和逻辑技术的整合
作者:
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
91.
A novel design of P-N staggered face-tunneling TFET targeting for low power and appropriate performance applications
机译:
用于低功耗和适当性能应用的P-N交错面部隧道TFET的新颖设计
作者:
E. R. Hsieh
;
Y. C. Fan
;
K. Y. Chang
;
C. H. Liu
;
C. H. Chien
;
Steve S. Chung
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Silicon;
PIN photodiodes;
Ions;
Face;
Silicon germanium;
92.
High Performance PMOS with Strained High-Ge-Content SiGe Fins for Advanced Logic Applications
机译:
具有用于高级逻辑应用的高性能PMOS具有应变高GE含量SIGE鳍片
作者:
Pouya Hashemi
;
Takashi Ando
;
Karthik Balakrishnan
;
Siyuranga Koswatta
;
Kam-Leung Lee
;
John A. Ott
;
Kevin Chan
;
John Bruley
;
Sebastian U. Engelmann
;
Vijay Narayanan
;
Effendi Leobandung
;
Renee T. Mo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
93.
Novel memory hierarchy with e-STT-MRAM for near-future applications
机译:
具有E-STT-MRAM的新型记忆层次结构,用于近期应用
作者:
Shinobu Fujita
;
Hiroki Noguchi
;
Kazutaka Ikegami
;
Susumu Takeda
;
Kumiko Nomura
;
Keiko Abe
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
94.
Stressor Design for FinFETs with Air-Gap Spacers
机译:
带气隙垫片的压力仪设计的压力源设计
作者:
Darsen D. Lu
;
Angada B. Sachid
;
Yao-Min Huang
;
Yi-Ju Chen
;
Chun-Chi Chen
;
Min-Cheng Chen
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
95.
I/O Device Optimization Techniques Tailored for Highly-scaled FinFET Technology
机译:
I / O设备优化技术针对高度缩放的FinFET技术进行量身定制
作者:
Ming-Huei Lin
;
Chung-An Hu
;
Chia-Cheng Chen
;
Tien-Shun Chang
;
Yun-Ju Sun
;
Hou-Yu Chen
;
Vincent S. Chang
;
Shyh-Horng Yang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
96.
A high accuracy and robust machine learning network for pattern recognition based on binary RRAM devices
机译:
基于二元RRAM设备的模式识别的高精度和强大的机器学习网络
作者:
Chen Liu
;
Runze Han
;
Sheng Zhang
;
Maochuan Li
;
Zheng Zhou
;
Peng Huang
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
Training;
Neurons;
Resistance;
Handwriting recognition;
Electrical resistance measurement;
Switches;
97.
III–V/Ge MOSFETs and TFETs for ultra-low power logic LSIs
机译:
III-V / GE MOSFET和用于超低功耗逻辑LSIS的TFET
作者:
Shinichi Takagi
;
Mitsuru Takenaka
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Silicon;
MOSFET;
Logic gates;
Zinc;
Substrates;
Junctions;
98.
1x- to 2x-nm MTJ switching at sub-3 ns pulses with compatible current in sub-20 nm CMOS for high performance embedded STT-MRAM
机译:
1x-至2x-nm MTJ在Sub-3 NS脉冲中切换,具有兼容电流的高性能嵌入式STT-MRAM
作者:
Daisuke Saida
;
Saori Kashiwada
;
Megumi Yakabe
;
Tadaomi Daibou
;
Keiko Abe
;
Hiroki Noguchi
;
Junichi Ito
;
Shinobu Fujita
;
Miyoshi Fukumoto
;
Shinji Miwa
;
Yoshishige Suzuki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
99.
III-V/Ge MOSFETs and TFETs for Ultra-Low Power Logic LSIs
机译:
III-V / GE MOSFET和用于超低功耗逻辑LSIS的TFET
作者:
Shinichi Takagi
;
Mitsuru Takenaka
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2017年
100.
Exploration and evaluation of TCAM with hybrid tunneling FET and FinFET devices for ultra-low-voltage applications
机译:
用于超低电压应用的混合隧穿FET和FinFET器件的TCAM探索与评估
作者:
Meng-Hsuan Tu
;
Yin-Nien Chen
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Pin Su
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Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2017年
关键词:
FinFETs;
TFETs;
Delays;
Capacitance;
Hybrid power systems;
Integrated circuit modeling;
Three-dimensional displays;
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