具有提供减少的读扰乱的传输门的七晶体管SRAM位单元

摘要

系统和方法涉及七晶体管静态随机存取存储器(7T SRAM)位单元(图5，500)，其包括第一反相器和第二反相器，第一反相器具有第一上拉晶体管(512)、第一下拉晶体管(514)和第一存储节点(510)，第二反相器具有第二上拉晶体管(522)、第二下拉晶体管(524)和第二存储节点(520)。第二存储节点耦合至第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅极。传输门(540)被配置成：在写操作、待机模式和保持模式期间选择性地将第一存储节点耦合至第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的栅极；以及在读操作期间选择性地使第一存储节点与第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅极解耦。该7T SRAM位单元可通过耦合至第一存储节点(510)的存取晶体管(522)来读取或写入。