应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构

摘要

本发明公开了一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、n区、i区和p区，该轻掺杂二极管的p区与n区为非全包含结构，p区与n区在水平面上的投影无重叠部分，p区与n区在水平面方向上投影的间距X＞0。通过调整n区与p区在水平面方向上投影的间距X可以实现对轻掺杂二极管的特性的独立调节而且与现有的锗硅异质结三极管的制造工艺兼容。