硅光电二极管结构特性研究

摘要

为探讨光电二极管工作机理及其改进潜力,从一款常规光电二极管应用产品的设计入手,采用光敏区尺寸逐渐变大、呈规律性排列的硅光电二级管串联的结构,分析其特性与机理.在此基础上对同类产品进行优化,详细阐述新结构工艺原理与实现方式,分别从器件结构、工作原理、不同结构的优劣点等方面对比改进前后两种不同结构光电二极管的特性.从工艺参数选取角度详细分析改进后的光电二极管对衬底类型、衬底电阻率的选择,以及对增透抗反膜结构及厚度的确定;对器件的ID暗电流参数控制等优化也进行了讨论.