公开/公告号CN106129059A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市航顺芯片技术研发有限公司;
申请/专利号CN201610596611.6
申请日2016-07-27
分类号H01L27/115;H01L23/528;
代理机构广东深宏盾律师事务所;
代理人赵琼花
地址 518000 广东省深圳市福田区华强北路华强广场2栋A-15G
入库时间 2023-06-19 00:54:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/115 申请公布日:20161116 申请日:20160727
发明专利申请公布后的驳回
2016-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20160727
实质审查的生效
2016-11-16
公开
公开
机译: 通过增强深亚微米CMOS工艺中的衬底偏置来实现I / O和电源ESD保护电路
机译: 通过增强深亚微米CMOS工艺中的衬底偏置来实现I / O和电源ESD保护电路
机译: 用于在高压深亚微米工艺中控制高压侧CMOS晶体管的电路装置