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一种基于CMOS深亚微米工艺的EEPROM结构

摘要

本发明为一种基于CMOS深亚微米工艺的EEPROM结构,包括:控制栅,浮栅,氧化层,其特征在于,CMOS深亚微米工艺低压逻辑部分的栅和金属布线结构包括一层多晶硅和四层金属;所述EEPROM结构存储器部分栅和金属布线结构包括二层多晶硅和三层金属;其中,CMOS深亚微米工艺中低压MOS管栅与EEPROM结构中的浮栅使用同一层多晶硅;第一层金属走线与EEPROM结构中的控制栅使用同一层金属,即第一层金属走线当做EEPROM结构中的控制栅使用。本发明解决了目前芯片制作工艺过于复杂、芯片加工费昂贵,而且前期需要制作的掩膜版比较多,投入大的问题。本发明芯片能够有效的简化制作工艺,减少前期制作所需的掩膜版数量,从而提高芯片制作效率,降低芯片加工费用。

著录项

  • 公开/公告号CN106129059A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市航顺芯片技术研发有限公司;

    申请/专利号CN201610596611.6

  • 发明设计人 刘吉平;唐伟;张怀东;

    申请日2016-07-27

  • 分类号H01L27/115;H01L23/528;

  • 代理机构广东深宏盾律师事务所;

  • 代理人赵琼花

  • 地址 518000 广东省深圳市福田区华强北路华强广场2栋A-15G

  • 入库时间 2023-06-19 00:54:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/115 申请公布日:20161116 申请日:20160727

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20160727

    实质审查的生效

  • 2016-11-16

    公开

    公开

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