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张冰; 柴常春; 杨银堂;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
静电放电; 保护电路; 传输线脉冲; 人体模型;
机译:具有双寄生SCR结构的新型片上ESD保护电路,用于CMOS VLSI
机译:低压CMOS工艺负电压电源引脚的高压容耐电源轨ESD保护电路设计
机译:具有对称触发电路的低泄漏双向SCR,可在40nm CMOS工艺中提供ESD保护
机译:采用1.8V 0.15- / splμ/μm部分耗尽SOI自对准硅化物的CMOS工艺的新型二极管结构和ESD保护电路
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式载流子复合结构的新型高保持电压SCR可实现闩锁免疫和强大的ESD保护
机译:三级孔隙反应堆。一种用于逆流滴流工艺的新型结构催化剂填料。
机译:CMOS / BiCMOS技术中用于ESD保护的集成横向结构CMOS / BiCMOS技术中用于ESD保护的集成横向结构
机译:CMOS / BiCMOS ESD集成横向结构,用于CMOS / BICMOS技术中的ESD保护
机译:利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电(ESD)保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
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