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替代栅极流中的部分凹陷沟道核心晶体管

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在所描述的例子中，集成电路(100)包括衬底(102)。第一MOS晶体管(106)包括布置在第一介电层(148)上的第一替代栅极(152)以及第一沟道。第一沟道沿水平表面和竖直表面两者邻近第一介电层(148)延伸。第二MOS晶体管(108)包括布置在第二介电层(150)上的第二替代栅极(154)以及第二沟道。第二沟道沿水平表面而不是竖直表面邻近第二介电层(150)延伸。第一介电层(148)和第二介电层(150)具有大体上相同的组成。第一替代栅极(152)和第二替代栅极(154)具有大体上相同的组成。第一MOS晶体管(106)和第二MOS晶体管(108)具有相同极性。

著录项

公开/公告号CN105359260A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-24

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201480037799.X
发明设计人 M·楠达库玛;
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申请日2014-07-02
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/66(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵志刚;孙娜燕
地址美国德克萨斯州
入库时间 2023-12-18 14:35:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140702

实质审查的生效
2016-02-24

公开

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外文文献

1. 替代栅极流中的部分凹陷沟道核心晶体管 [P] . 中国专利： CN105359260B . 2020.10.16
2. 替代栅极流中的部分凹陷沟道核心晶体管 [P] . 中国专利： CN105359260A . 2016-02-24
3. Partially recessed channel core transistors in replacement gate flow [P] . 美国专利： US10115638B2 . 2018-10-30

机译：替代栅极流中的部分凹陷的沟道核心晶体管
4. Transistor i.e. recessed channel array transistor, for use in memory i.e. dynamic RAM, of integrated circuit, has gate electrode arranged in gate trench, and carbon material corresponding to layer over gate dielectric layer [P] . 德国专利： DE102007032290B3 . 2008-10-16

机译：用于集成电路的存储器即动态RAM中的晶体管即凹陷的沟道阵列晶体管具有布置在栅极沟槽中的栅电极，以及与栅极介电层上的层相对应的碳材料
5. Field effect transistor having a gate structure with a first section above a center portion of the channel region and having a first effective work function and second sections above edges of the channel region and having a second effective work function [P] . 美国专利： US8237233B2 . 2012-08-07

机译：具有栅极结构的场效应晶体管，该栅极结构的第一部分在沟道区的中心部分上方，并且具有第一有效功函数，第二部分在沟道区的边缘上方，并且具有第二有效功函数