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Symposium on VLSI Technology
Symposium on VLSI Technology
召开年:
2015
召开地:
Kyoto(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Foreword
机译:
前言
作者:
Hiramoto Toshiro
;
Jammya Raj
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
2.
Technology / circuits joint evening panel discussion semiconductor industry in 2020: Evolution or revolution? Tuesday, June 16, 20:00–22:00
机译:
技术/电路联合晚间小组讨论2020年半导体行业:发展还是革命? 6月16日,星期二,20:00–22:00
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
3.
Technology evening panel discussion post scaling: What will be next? Tuesday, June 16, 20:00–22:00
机译:
技术晚会小组讨论后的扩展:下一步将是什么? 6月16日,星期二,20:00–22:00
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
4.
2.8-GB/s-write and 670-MB/s-erase operations of a 3D vertical chain-cell-type phase-change-memory array
机译:
3D垂直链单元型相变存储器阵列的2.8GB / s写和670MB / s擦除操作
作者:
Kurotsuchi K.
;
Sasago Y.
;
Yoshitake H.
;
Minemura H.
;
Anzai Y.
;
Fujisaki Y.
;
Takahama T.
;
Takahashi T.
;
Mine T.
;
Shima A.
;
Fujisaki K.
;
Kobayashi T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
5.
A 14 nm SoC platform technology featuring 2nd generation Tri-Gate transistors, 70 nm gate pitch, 52 nm metal pitch, and 0.0499 um2 SRAM cells, optimized for low power, high performance and high density SoC products
机译:
一种14纳米SoC平台技术,具有2 sup>代的Tri-Gate晶体管,70纳米栅距,52纳米金属栅距和0.0499 um 2 sup> SRAM单元,针对低功耗进行了优化,高性能和高密度SoC产品
作者:
Jan C.-H.
;
Al-amoody F.
;
Chang H.-Y.
;
Chang T.
;
Chen Y.-W.
;
Dias N.
;
Hafez W.
;
Ingerly D.
;
Jang M.
;
Karl E.
;
Shi S.K.-Y.
;
Komeyli K.
;
Kilambi H.
;
Kumar A.
;
Byon K.
;
Lee C.-G.
;
Lee J.
;
Leo T.
;
Liu P.-C.
;
Nidhi N.
;
Olac-vaw R.
;
Petersburg C.
;
Phoa K.
;
Prasad C.
;
Quincy C.
;
Ramaswamy R.
;
Rana T.
;
Rockford L.
;
Subramaniam A.
;
Tsai C.
;
Vandervoorn P.
;
Yang L.
;
Zainuddin A.
;
Bai P.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
6.
A 50-nm 1.2-V Ge
x
Te
1−x
/Sb
2
Te
3
superlattice topological-switching random-access memory (TRAM)
机译:
50nm 1.2V Ge
x inf> Te
1-x inf> / Sb
2 inf> Te
3 inf>超晶格拓扑转换随机存取存储器(TRAM)
作者:
Tai M.
;
Ohyanagi T.
;
Kinoshita M.
;
Morikawa T.
;
Akita K.
;
Takato M.
;
Shirakawa H.
;
Araidai M.
;
Shiraishi K.
;
Takaura N.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
7.
A comparison of arsenic and phosphorus extension by Room Temperature and hot ion implantation for NMOS Si bulk-FinFET at N7 (7nm) technology relevant fin dimensions
机译:
N7(7nm)技术下与鳍尺寸有关的NMOS Si体-FinFET在室温和热离子注入下砷和磷的扩散比较
作者:
Sasaki Y.
;
Ritzenthaler R.
;
De Keersgieter A.
;
Chiarella T.
;
Kubicek S.
;
Rosseel E.
;
Waite A.
;
del Agua Borniquel J.
;
Colombeau B.
;
Chew S.A.
;
Kim M.S.
;
Schram T.
;
Demuynck S.
;
Vandervorst W.
;
Horiguchi N.
;
Mocuta D.
;
Mocuta A.
;
Thean A.V.-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
8.
A new integration technology platform: Integrated fan-out wafer-level-packaging for mobile applications
机译:
新的集成技术平台:适用于移动应用的集成扇出晶圆级封装
作者:
Yu Douglas
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
9.
A novel ALD SiBCN low-k spacer for parasitic capacitance reduction in FinFETs
机译:
新颖的ALD SiBCN低k隔离层,可降低FinFET的寄生电容
作者:
Yamashita T.
;
Mehta S.
;
Basker V.S.
;
Southwick R.
;
Kumar A.
;
Kambhampati R.
;
Sathiyanarayanan R.
;
Johnson J.
;
Hook T.
;
Cohen S.
;
Li J.
;
Madan A.
;
Zhu Z.
;
Tai L.
;
Yao Y.
;
Chinthamanipeta P.
;
Hopstaken M.
;
Liu Z.
;
Lu D.
;
Chen F.
;
Khan S.
;
Canaperi D.
;
Haran B.
;
Stathis J.
;
Oldiges P.
;
Lin C.-H.
;
Narasimha S.
;
Bryant A.
;
Henson W.K.
;
Kanakasabapathy S.
;
Murali K.V.R.M.
;
Gow T.
;
McHerron D.
;
Bu H.
;
Khare M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
10.
A novel CBRAM integration using subtractive dry-etching process of Cu enabling high-performance memory scaling down to 10nm node
机译:
一种新颖的CBRAM集成,使用Cu的干式减法蚀刻工艺实现了将高性能存储器缩小至10nm节点的功能
作者:
Redolfi A.
;
Goux L.
;
Jossart N.
;
Yamashita F.
;
Nishimura E.
;
Urayama D.
;
Fujimoto K.
;
Witters T.
;
Lazzarino F.
;
Jurczak M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
11.
A novel dichotomic programming algorithm applied to 3D NAND flash
机译:
一种应用于3D NAND闪存的新型二分规划算法
作者:
Chih-Chang Hsieh
;
Hang-Ting Lue
;
Yung Chun Li
;
Ti-Wen Chen
;
Hsiang-Pang Li
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
12.
A novel self-converging write scheme for 2-bits/cell phase change memory for Storage Class Memory (SCM) application
机译:
面向存储类存储器(SCM)应用的2位/单元相变存储器的新颖自收敛写方案
作者:
Chien W.C.
;
Ho Y.H.
;
Cheng H.Y.
;
BrightSky M.
;
Chen C.J.
;
Yeh C.W.
;
Chen T.S.
;
Kim W.
;
Kim S.
;
Wu J.Y.
;
Ray A.
;
Bruce R.
;
Zhu Y.
;
Ho H.Y.
;
Lung H.L.
;
Lam C.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
13.
A test-proven As-grown-Generation (A-G) model for predicting NBTI under use-bias
机译:
经过使用验证的成年生成(A-G)模型,用于预测使用偏差下的NBTI
作者:
Ji Z.
;
Zhang J.F.
;
Lin L.
;
Duan M.
;
Zhang W.
;
Zhang X.
;
Gao R.
;
Kaczer B.
;
Franco J.
;
Schram T.
;
Horiguchi N.
;
De Gendt S.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
14.
A-VMCO: A novel forming-free, self-rectifying, analog memory cell with low-current operation, nonfilamentary switching and excellent variability
机译:
A-VMCO:一种新颖的免成型,自整流,模拟存储单元,具有低电流操作,无丝开关和出色的可变性
作者:
Govoreanu B.
;
Crotti D.
;
Subhechha S.
;
Zhang L.
;
Chen Y.Y.
;
Clima S.
;
Paraschiv V.
;
Hody H.
;
Adelmann C.
;
Popovici M.
;
Richard O.
;
Jurczak M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
15.
An 8-bit Analog-to-Digital Converter based on the voltage-dependent switching probability of a Magnetic Tunnel Junction
机译:
基于磁隧道结的电压相关开关概率的8位模数转换器
作者:
Won Ho Choi
;
Yang Lv
;
Hoonki Kim
;
Jian-Ping Wang
;
Kim Chris H.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
16.
Confined Epitaxial Lateral Overgrowth (CELO): A novel concept for scalable integration of CMOS-compatible InGaAs-on-insulator MOSFETs on large-area Si substrates
机译:
局限外延横向过长(CELO):在大面积Si衬底上可扩展集成CMOS兼容InGaAs绝缘体上MOSFET的新颖概念
作者:
Czornomaz L.
;
Uccelli E.
;
Sousa M.
;
Deshpande V.
;
Djara V.
;
Caimi D.
;
Rossell M.D.
;
Erni R.
;
Fompeyrine J.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
17.
Demonstration of an MgO based anti-fuse OTP design integrated with a fully functional STT-MRAM at the Mbit level
机译:
演示基于MgO的反熔丝OTP设计与Mbit级功能齐全的STT-MRAM集成
作者:
Guenole Jan
;
Thomas Luc
;
Son Le
;
Yuan-Jen Lee
;
Huanlong Liu
;
Jian Zhu
;
Ru-Ying Tong
;
Keyu Pi
;
Yu-Jen Wang
;
Shen Dongna
;
Renren He
;
Haq Jesmin
;
Teng Jeffrey
;
Vinh Lam
;
Annapragada Rao
;
Zhong Tom
;
Torng Terry
;
Po-Kang Wang
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
OTP;
STT-MRAM;
embedded-NVM;
18.
Greater than 2-bits/cell MLC storage for ultra high density phase change memory using a novel sensing scheme
机译:
采用新颖的感应方案,每单元大于2位的MLC存储用于超高密度相变存储器
作者:
Wu J.Y.
;
Khwa W.S.
;
Lee M.H.
;
Li H.P.
;
Lai S.C.
;
Su T.H.
;
Wei M.L.
;
Wang T.Y.
;
BrightSky M.
;
Chen T.S.
;
Chien W.C.
;
Kim S.
;
Cheek R.
;
Cheng H.Y.
;
Lai E.K.
;
Zhu Y.
;
Lung H.L.
;
Lam C.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
19.
Further investigations on traps stabilities in random telegraph signal noise and the application to a novel concept physical unclonable function (PUF) with robust reliabilities
机译:
对随机电报信号噪声中陷阱陷阱的进一步研究及其在具有鲁棒可靠性的新型概念物理不可克隆函数(PUF)中的应用
作者:
Jiezhi Chen
;
Tanamoto Tetsufumi
;
Noguchi Hiroki
;
Mitani Yuichiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
20.
High frequency AC electromigration lifetime measurements from a 32nm test chip
机译:
通过32nm测试芯片进行高频AC电迁移寿命测量
作者:
Chen Zhou
;
Xiaofei Wang
;
Rita Fung
;
Shi-Jie Wen
;
Wong Rick
;
Kim Chris H.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
21.
High voltage I/O FinFET device optimization for 16nm system-on-a-chip (SoC) technology
机译:
针对16nm片上系统(SoC)技术的高压I / O FinFET器件优化
作者:
Miyashita T.
;
Kwong K.C.
;
Wu P.H.
;
Hsu B.C.
;
Chen P.N.
;
Tsai C.H.
;
Chiang M.C.
;
Lin C.Y.
;
Wu S.Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
22.
Si-cap-free SiGe p-channel FinFETs and gate-all-around transistors in a replacement metal gate process: Interface trap density reduction and performance improvement by high-pressure deuterium anneal
机译:
替代金属栅极工艺中的无Si帽SiGe p沟道FinFET和全能栅极晶体管:通过高压氘退火降低界面阱密度并提高性能
作者:
Mertens H.
;
Ritzenthaler R.
;
Arimura H.
;
Franco J.
;
Sebaai F.
;
Hikavyy A.
;
Pawlak B.J.
;
Machkaoutsan V.
;
Devriendt K.
;
Tsvetanova D.
;
Milenin A.P.
;
Witters L.
;
Dangol A.
;
Vancoille E.
;
Bender H.
;
Badaroglu M.
;
Holsteyns F.
;
Barla K.
;
Mocuta D.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
23.
10 nmf perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with over 400°C high thermal tolerance by boron diffusion control
机译:
通过硼扩散控制,具有超过400°C的高耐热性的10 nmf垂直各向异性CoFeB-MgO磁性隧道结
作者:
Honjo H.
;
Sato H.
;
Ikeda S.
;
Sato S.
;
Watanebe T.
;
Miura S.
;
Nasuno T.
;
Noguchi Y.
;
Yasuhira M.
;
Tanigawa T.
;
Koike H.
;
Muraguchi M.
;
Niwa M.
;
Ito K.
;
Ohno H.
;
Endoh T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
MRAM;
MTJ;
24.
14nm FDSOI upgraded device performance for ultra-low voltage operation
机译:
14nm FDSOI升级了器件性能,可实现超低压运行
作者:
Weber O.
;
Josse E.
;
Mazurier J.
;
Degors N.
;
Chhun S.
;
Maury P.
;
Lagrasta S.
;
Barge D.
;
Manceau J.-P.
;
Haond M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
25.
15-nm channel length MoS
2
FETs with single- and double-gate structures
机译:
具有单栅和双栅结构的15nm沟道长度MoS
2 inf> FET
作者:
Nourbakhsh A.
;
Zubair A.
;
Huang S.
;
Ling X.
;
Dresselhaus M.S.
;
Kong J.
;
De Gendt S.
;
Palacios T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
26.
30-nm-channel-length c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn-O transistors with low off-state leakage current and steep subthreshold characteristics
机译:
具有低关态漏电流和陡峭亚阈值特性的30nm沟道长度c轴对准晶体In-Ga-Zn-O晶体管
作者:
Matsuda S.
;
Hiramatsu T.
;
Honda R.
;
Matsubayashi D.
;
Tomisu H.
;
Kobayashi Y.
;
Tochibayashi K.
;
Hodo R.
;
Fujiki H.
;
Yamamoto Y.
;
Tsubuku M.
;
Okazaki Y.
;
Yamazaki S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
27.
3DVLSI with CoolCube process: An alternative path to scaling
机译:
具有CoolCube流程的3DVLSI:扩展的替代途径
作者:
Batude P.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Pasini L.
;
Lu V.
;
Deprat F.
;
Brunet L.
;
Sklenard B.
;
Piegas-Luce F.
;
Casse M.
;
Mathieu B.
;
Billoint O.
;
Cibrario G.
;
Turkyilmaz O.
;
Sarhan H.
;
Thuries S.
;
Hutin L.
;
Sollier S.
;
Widiez J.
;
Hortemel L.
;
Tabone C.
;
Samson M.-P.
;
Previtali B.
;
Rambal N.
;
Ponthenier F.
;
Mazurier J.
;
Beneyton R.
;
Bidaud M.
;
Josse E.
;
Petitprez E.
;
Rozeau O.
;
Rivoire M.
;
Euvard-Colnat C.
;
Seignard A.
;
Fournel F.
;
Benaissa L.
;
Coudrain P.
;
Leduc P.
;
Hartmann J.-M.
;
Besson P.
;
Kerdiles S.
;
Bout C.
;
Nemouchi F.
;
Royer A.
;
Agraffeil C.
;
Ghibaudo G.
;
Signamarcheix T.
;
Haond M.
;
Clermidy F.
;
Faynot O.
;
Vinet M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
28.
Characterization of self-heating in high-mobility Ge FinFET pMOS devices
机译:
高迁移率Ge FinFET pMOS器件中的自发热特性
作者:
Bury E.
;
Kaczer B.
;
Mitard J.
;
Collaert N.
;
Khatami N.S.
;
Aksamija Z.
;
Vasileska D.
;
Raleva K.
;
Witters L.
;
Hellings G.
;
Linten D.
;
Groeseneken G.
;
Thean A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
29.
AC NBTI of Ge pMOSFETs: Impact of energy alternating defects on lifetime prediction
机译:
Ge pMOSFET的AC NBTI:能量交变缺陷对寿命预测的影响
作者:
Ma J.
;
Zhang W.
;
Zhang J.F.
;
Ji Z.
;
Benbakhti B.
;
Franco J.
;
Mitard J.
;
Witters L.
;
Collaert N.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
30.
Active-lite interposer for 2.5 3D integration
机译:
用于2.5和3D集成的Active-lite插入器
作者:
Hellings G.
;
Scholz M.
;
Detalle M.
;
Velenis D.
;
de Potter de ten Broeck M.
;
Roda Neve C.
;
Li Y.
;
Van Huylenbroek S.
;
Chen S.-H.
;
Marinissen E.-J.
;
La Manna A.
;
Van der Plas G.
;
Linten D.
;
Beyne E.
;
Thean A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
31.
An InGaAs on Si platform for CMOS with 200 mm InGaAs-OI substrate, gate-first, replacement gate planar and FinFETs down to 120 nm contact pitch
机译:
具有CMOS的Si平台上的InGaAs,具有200 mm InGaAs-OI衬底,栅极优先,替代栅极平面和低至120 nm接触间距的FinFET
作者:
Djara V.
;
Deshpande V.
;
Uccelli E.
;
Daix N.
;
Caimi D.
;
Rossel C.
;
Sousa M.
;
Siegwart H.
;
Marchiori C.
;
Hartmann J.M.
;
Shiu K.-T.
;
Weng C.-W.
;
Krishnan M.
;
Lofaro M.
;
Steiner R.
;
Sadana D.
;
Lubyshev D.
;
Liu A.
;
Czornomaz L.
;
Fompeyrine J.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
32.
Comprehensive analysis of retention characteristics in 3-D NAND flash memory cells with tube-type poly-Si channel structure
机译:
全面分析具有管状多晶硅通道结构的3D NAND闪存单元的保留特性
作者:
Ho-Jung Kang
;
Nagyong Choi
;
Sung-Min Joe
;
Ji-Hyun Seo
;
Eunseok Choi
;
Sung-Kye Park
;
Byung-Gook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
33.
Considerations for efficient contact resistivity reduction via Fermi Level depinning - impact of MIS contacts on 10nm node nMOSFET DC characteristics
机译:
通过费米能级去钉有效降低接触电阻率的注意事项-MIS触点对10nm节点nMOSFET DC特性的影响
作者:
Borrel J.
;
Hutin L.
;
Rozeau O.
;
Batude P.
;
Poiroux T.
;
Nemouchi F.
;
Vinet M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
34.
Cu diffusion barrier: Graphene benchmarked to TaN for ultimate interconnect scaling
机译:
铜扩散势垒:以TaN为基准的石墨烯可实现最终互连缩放
作者:
Ling Li
;
Xiangyu Chen
;
Ching-Hua Wang
;
Seunghyun Lee
;
Ji Cao
;
Roy Susmit Singha
;
Arnold Michael S.
;
Wong H.-S Philip
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
35.
Demonstration of p-type In
0.7
Ga
0.3
As/GaAs
0.35
Sb
0.65
and n-type GaAs
0.4
Sb
0.6
/In
0.65
Ga
0.35
As complimentary Heterojunction Vertical Tunnel FETs for ultra-low power logic
机译:
p型In
0.7 inf> Ga
0.3 inf> As / GaAs
0.35 inf> Sb
0.65 inf>和n型GaAs
0.4 inf> Sb
0.6 inf> / In
0.65 inf> Ga
0.35 inf>作为超低功耗逻辑的互补异质结垂直隧道FET
作者:
Pandey R.
;
Madan H.
;
Liu H.
;
Chobpattana V.
;
Barth M.
;
Rajamohanan B.
;
Hollander M.J.
;
Clark T.
;
Wang K.
;
Kim J.-H.
;
Gundlach D.
;
Cheung K.P.
;
Suehle J.
;
Engel-Herbert R.
;
Stemmer S.
;
Datta S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
36.
Design and demonstration of reliability-aware Ge gate stacks with 0.5 nm EOT
机译:
具有0.5 nm EOT的可靠性意识Ge栅堆叠的设计和演示
作者:
Lu C.
;
Lee C.H.
;
Nishimura T.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
37.
Device design guideline for steep slope ferroelectric FET using negative capacitance in sub-0.2V operation: Operation speed, material requirement and energy efficiency
机译:
在低于0.2V的操作中使用负电容的陡坡铁电FET的器件设计指南:工作速度,材料要求和能效
作者:
Kobayashi Masaharu
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
FeFET;
Negative capacitance;
ferroelectric;
38.
Energy efficient 1-transistor active pixel sensor (APS) with FD SOI tunnel FET
机译:
具有FD SOI隧道FET的高能效1晶体管有源像素传感器(APS)
作者:
Dagtekin Nilay
;
Ionescu Adrian Mihai
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
FD SOI;
Photogate;
active pixel sensor;
optoelectronic devices;
phototransistor;
tunnel FET;
39.
First experimental demonstration of Ge 3D FinFET CMOS circuits
机译:
Ge 3D FinFET CMOS电路的首次实验演示
作者:
Heng Wu
;
Wei Luo
;
Hong Zhou
;
Mengwei Si
;
Jingyun Zhang
;
Ye Peide D.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
40.
Gate-all-around NWFETs vs. triple-gate FinFETs: Junctionless vs. extensionless and conventional junction devices with controlled EWF modulation for multi-VT CMOS
机译:
全方位栅NWFET与三栅FinFET:无结点与无引伸的传统结器件,具有可控EWF调制的多VT CMOS
作者:
Veloso A.
;
Hellings G.
;
Cho M.J.
;
Simoen E.
;
Devriendt K.
;
Paraschiv V.
;
Vecchio E.
;
Tao Z.
;
Versluijs J.J.
;
Souriau L.
;
Dekkers H.
;
Brus S.
;
Geypen J.
;
Lagrain P.
;
Bender H.
;
Eneman G.
;
Matagne P.
;
De Keersgieter A.
;
Fang W.
;
Collaert N.
;
Thean A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
41.
High performance low temperature activated devices and optimization guidelines for 3D VLSI integration of FD, TriGate, FinFET on insulator
机译:
绝缘体上FD,TriGate,FinFET的3D VLSI集成的高性能低温激活器件和优化准则
作者:
Pasini L.
;
Batude P.
;
Casse M.
;
Mathieu B.
;
Sklenard B.
;
Luce F. Piegas
;
Reboh S.
;
Bernier N.
;
Tabone C.
;
Rozeau O.
;
Martini S.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Brunet L.
;
Audoit G.
;
Lafond D.
;
Aussenac F.
;
Allain F.
;
Romano G.
;
Barraud S.
;
Rambal N.
;
Barral V.
;
Hutin L.
;
Hartmann J.-M.
;
Besson P.
;
Kerdiles S.
;
Haond M.
;
Ghibaudo G.
;
Vinet M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
42.
High performance, integrated 1T1R oxide-based oscillator: Stack engineering for low-power operation in neural network applications
机译:
高性能,集成的基于1T1R氧化物的振荡器:用于神经网络应用中低功耗操作的堆栈工程
作者:
Sharma A.A.
;
Jackson T.C.
;
Schulaker M.
;
Kuo C.
;
Augustine C.
;
Bain J.A.
;
Wong H.-S.P.
;
Mitra S.
;
Pileggi L.T.
;
Weldon J.A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
43.
High sigma measurement of random threshold voltage variation in 14nm Logic FinFET technology
机译:
14nm Logic FinFET技术中随机阈值电压变化的高sigma测量
作者:
Giles M.D.
;
Arkali Radhakrishna N.
;
Becher D.
;
Kornfeld A.
;
Maurice K.
;
Mudanai S.
;
Natarajan S.
;
Newman P.
;
Packan P.
;
Rakshit T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
AVt;
FinFET;
threshold voltage;
variation;
44.
High-mobility High-Ge-Content Si
1−x
Ge
x
-OI PMOS FinFETs with fins formed using 3D germanium condensation with Ge fraction up to x∼ 0.7, scaled EOT∼8.5Å and ∼10nm fin width
机译:
高迁移率高Ge含量Si
1-x inf> Ge
x inf> -OI PMOS FinFETs的鳍片使用3D锗缩合形成,其Ge分数高达x〜0.7,按比例缩放EOT 〜8.5Å和〜10nm的鳍宽度
作者:
Hashemi P.
;
Ando T.
;
Balakrishnan K.
;
Bruley J.
;
Engelmann S.
;
Ott J.A.
;
Narayanan V.
;
Park D.-G.
;
Mo R.T.
;
Leobandung E.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
45.
Highly reliable TaO
x
ReRAM with centralized filament for 28-nm embedded application
机译:
具有集中式灯丝的高度可靠的TaO
x inf> ReRAM,适用于28nm嵌入式应用
作者:
Hayakawa Y.
;
Himeno A.
;
Yasuhara R.
;
Boullart W.
;
Vecchio E.
;
Vandeweyer T.
;
Witters T.
;
Crotti D.
;
Jurczak M.
;
Fujii S.
;
Ito S.
;
Kawashima Y.
;
Ikeda Y.
;
Kawahara A.
;
Kawai K.
;
Wei Z.
;
Muraoka S.
;
Shimakawa K.
;
Mikawa T.
;
Yoneda S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
46.
Indium arsenide (InAs) single and dual quantum-well heterostructure FinFETs
机译:
砷化铟(InAs)单和双量子阱异质结构FinFET
作者:
Thathachary Arun V.
;
Agrawal N.
;
Bhuwalka K.K.
;
Cantoro M.
;
Heo Y.-C.
;
Lavallee G.
;
Maeda S.
;
Datta S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
47.
Low power 1T DRAM/NVM versatile memory featuring steep sub-60-mV/decade operation, fast 20-ns speed, and robust 85°C-extrapolated 1016 endurance
机译:
低功耗1T DRAM / NVM多功能存储器,具有60mV /十倍以下的陡峭运行速度,20ns的快速速度和85°C的10 16 sup>外加耐用性
作者:
Yu-Chien Chiu
;
Chun-Hu Cheng
;
Chun-Yen Chang
;
Min-Hung Lee
;
Hsiao-Hsuan Hsu
;
Shiang-Shiou Yen
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
48.
Low-power embedded ReRAM technology for IoT applications
机译:
适用于物联网应用的低功耗嵌入式ReRAM技术
作者:
Ueki M.
;
Takeuchi K.
;
Yamamoto T.
;
Tanabe A.
;
Ikarashi N.
;
Saitoh M.
;
Nagumo T.
;
Sunamura H.
;
Narihiro M.
;
Uejima K.
;
Masuzaki K.
;
Furutake N.
;
Saito S.
;
Yabe Y.
;
Mitsuiki A.
;
Takeda K.
;
Hase T.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
49.
MoS
2
FET fabrication and modeling for large-scale flexible electronics
机译:
MoS
2 inf> FET的制造和用于大型柔性电子设备的建模
作者:
Lili Yu
;
El-Damak Dina
;
Sungjae Ha
;
Rakheja Shaloo
;
Xi Ling
;
Jing Kong
;
Antoniadis Dimitri
;
Chandrakasan Anantha
;
Palacios Tomas
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
2D materials;
MoS;
flexible IC;
large scale;
50.
New industry standard FinFET compact model for future technology nodes
机译:
适用于未来技术节点的新行业标准FinFET紧凑模型
作者:
Khandelwal Sourabh
;
Duarte Juan P.
;
Medury Aditya
;
Chauhan Y.S.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
BSIM-CMG;
Compact Models;
SPICE models;
51.
Novel oxygen showering process (OSP) for extreme damage suppression of sub-20nm high density p-MTJ array without IBE treatment
机译:
无需IBE处理即可抑制20nm以下高密度p-MTJ阵列的极端损坏的新型氧气喷淋工艺(OSP)
作者:
Jeong J.H.
;
Endoh T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
Damage recovery;
MRAM;
MTJs;
selective oxidation;
short yield;
switching efficiency;
52.
Novel selector for high density non-volatile memory with ultra-low holding voltage and 107 on/off ratio
机译:
具有超低保持电压和10 7 sup>开/关比的高密度非易失性存储器的新型选择器
作者:
Hongxin Yang
;
Minghua Li
;
Wei He
;
Yu Jiang
;
Kian Guan Lim
;
Wendong Song
;
Zhuo Victor Yi-Qian
;
Chun Chia Tan
;
Eng Keong Chua
;
Weijie Wang
;
Yi Yang
;
Rong Ji
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
53.
Novel single p+poly-Si/Hf/SiON gate stack technology on silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) for ultra-low leakage applications
机译:
新型的单p + poly-Si / Hf / SiON栅极堆叠技术在薄埋硅上(SOTB),适用于超低泄漏应用
作者:
Yamamoto Y.
;
Makiyama H.
;
Yamashita T.
;
Oda H.
;
Kamohara S.
;
Sugii N.
;
Yamaguchi Y.
;
Mizutani T.
;
Kobayashi M.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
54.
Operation fundamentals in 12Mb Phase Change Memory based on innovative Ge-rich GST materials featuring high reliability performance
机译:
基于创新的富含Ge的GST材料,具有高可靠性能的12Mb相变存储器的操作基础
作者:
Sousa V.
;
Navarro G.
;
Castellani N.
;
Coue M.
;
Cueto O.
;
Sabbione C.
;
Noe P.
;
Perniola L.
;
Blonkowski S.
;
Zuliani P.
;
Annunziata R.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
Ge-Sb-Te (GST) compounds;
high temperature data retention (HTDR);
phase change memories (PCMs);
55.
Resistivity of copper interconnects beyond the 7 nm node
机译:
铜互连的电阻率超过7 nm节点
作者:
Pyzyna A.
;
Bruce R.
;
Lofaro M.
;
Tsai H.
;
Witt C.
;
Gignac L.
;
Brink M.
;
Guillorn M.
;
Fritz G.
;
Miyazoe H.
;
Klaus D.
;
Joseph E.
;
Rodbell K.P.
;
Lavoie C.
;
Park D.-G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
56.
RMG nMOS 1st process enabling 10x lower gate resistivity in N7 bulk FinFETs
机译:
RMG nMOS 1 st sup>工艺使N7体FinFET的栅极电阻率降低10倍
作者:
Ragnarsson L.-A.
;
Dekkers H.
;
Schram T.
;
Chew S.A.
;
Parvais B.
;
Dehan M.
;
Devriendt K.
;
Tao Z.
;
Sebaai F.
;
Baerts C.
;
Van Elshocht S.
;
Yoshida N.
;
Phatak A.
;
Lazik C.
;
Brand A.
;
Clark W.
;
Fried D.
;
Mocuta D.
;
Barla K.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
57.
Self-limited RRAM with ON/OFF resistance ratio amplification
机译:
具有开/关电阻比放大功能的自限RRAM
作者:
Sung Hyun Jo
;
Kumar Tanmay
;
Zitlaw Cliff
;
Nazarian Hagop
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
58.
Si nanowire CMOS fabricated with minimal deviation from RMG FinFET technology showing record performance
机译:
硅纳米线CMOS与RMG FinFET技术的偏差最小,显示出创纪录的性能
作者:
Lauer Isaac
;
Loubet N.
;
Kim S.D.
;
Ott J.A.
;
Mignot S.
;
Venigalla R.
;
Yamashita T.
;
Standaert T.
;
Faltermeier J.
;
Basker V.
;
Doris B.
;
Guillorn M.A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
59.
Strained germanium quantum well p-FinFETs fabricated on 45nm Fin pitch using replacement channel, replacement metal gate and germanide-free local interconnect
机译:
使用替换沟道,替换金属栅极和无锗化物局部互连,以45nm Fin节距制作应变锗量子阱p-FinFET
作者:
Witters L.
;
Mitard J.
;
Loo R.
;
Demuynck S.
;
Chew S.A.
;
Schram T.
;
Tao Z.
;
Hikavyy A.
;
Sun J.W.
;
Milenin A.P.
;
Mertens H.
;
Vrancken C.
;
Favia P.
;
Schaekers M.
;
Bender H.
;
Horiguchi N.
;
Langer R.
;
Barla K.
;
Mocuta D.
;
Collaert N.
;
Thean A.V.-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
60.
Ultra fine-pitch TSV technology for ultra-dense high-Q RF inductors
机译:
适用于超高密度高Q RF电感器的超细间距TSV技术
作者:
Vitale Wolfgang A.
;
Fernandez-Bolanos Montserrat
;
Klumpp Armin
;
Weber Josef
;
Ramm Peter
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
关键词:
3D integration;
RFIC;
TSV;
out-of-plane inductors;
61.
Ultra-low contact resistivity with highly doped Si:P contact for nMOSFET
机译:
用于nMOSFET的具有高掺杂Si:P触点的超低接触电阻率
作者:
Ni C.-N.
;
Li X.
;
Sharma S.
;
Rao K.V.
;
Jin M.
;
Lazik C.
;
Banthia V.
;
Colombeau B.
;
Variam N.
;
Mayur A.
;
Chung H.
;
Hung R.
;
Brand A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
62.
Variation-tolerant dense TFET memory with low V
MIN
matching low-voltage TFET logic
机译:
具有低V
MIN inf>匹配低压TFET逻辑的耐变化的密集TFET存储器
作者:
Morris Daniel H.
;
Avci Uygar E.
;
Young Ian A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
63.
High hole mobility front-gate InAs/InGaSb-OI single structure CMOS on Si
机译:
Si上的高空穴迁移率前栅InAs / InGaSb-OI单结构CMOS
作者:
Nishi K.
;
Yokoyama M.
;
Yokoyama H.
;
Hoshi T.
;
Sugiyama H.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
64.
High-performance low-leakage enhancement-mode high-K dielectric GaN MOSHEMTs for energy-efficient, compact voltage regulators and RF power amplifiers for low-power mobile SoCs
机译:
高性能,低泄漏增强模式高K电介质GaN MOSHEMT,用于节能,紧凑型稳压器和RF功率放大器,用于低功耗移动SoC
作者:
Then H.W.
;
Chow L.A.
;
Dasgupta S.
;
Gardner S.
;
Radosavljevic M.
;
Rao V.R.
;
Sung S.H.
;
Yang G.
;
Chau R.S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
65.
III–V and Ge/strained SOI tunneling FET technologies for low power LSIs
机译:
适用于低功率LSI的III–V和Ge /应变SOI隧道FET技术
作者:
Takagi S.
;
Kim M.
;
Noguchi M.
;
Ji S.-M.
;
Nishi K.
;
Takenaka M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
66.
Impact of random telegraph noise on write stability in Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM cells at low supply voltage in sub-0.4V regime
机译:
在低于0.4V的低电源电压下,随机电报噪声对薄盒式硅(SOTB)SRAM单元的写入稳定性的影响
作者:
Hao Qiu
;
Mizutani Tomoko
;
Yamamoto Yoshiki
;
Makiyama Hideki
;
Yamashita Tomohiro
;
Oda Hidekazu
;
Kamohara Shiro
;
Sugii Nobuyuki
;
Saraya Takuya
;
Kobayashi Masaharu
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
67.
Improved electromigration-resistance of Cu interconnects by graphene-based capping layer
机译:
石墨烯基覆盖层改善了铜互连的抗电迁移性
作者:
Seong Jun Yoon
;
Yoon Alexander
;
Wan Sik Hwang
;
Sung-Yool Choi
;
Byung Jin Cho
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
68.
In
0.53
Ga
0.47
As MOSFETs with high channel mobility and gate stack quality fabricated on 300 mm Si substrate
机译:
在300 mm Si衬底上制造具有高沟道迁移率和栅极堆叠质量的In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As MOSFET
作者:
Huang M.L.
;
Chang S.W.
;
Chen M.K.
;
Fan C.H.
;
Lin H.T.
;
Lin C.H.
;
Chu R.L.
;
Lee K.Y.
;
Khaderbad M.A.
;
Chen Z.C.
;
Lin C.H.
;
Chen C.H.
;
Lin L.T.
;
Lin H.J.
;
Chang H.C.
;
Yang C.L.
;
Leung Y.K.
;
Yeo Y.-C.
;
Jang S.M.
;
Hwang H.Y.
;
Diaz Carlos H.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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2015年
69.
Quantitative endurance failure model for filamentary RRAM
机译:
丝状RRAM的定量耐力失效模型
作者:
Degraeve R.
;
Fantini A.
;
Roussel Ph
;
Goux L.
;
Costantino A.
;
Chen C.Y.
;
Clima S.
;
Govoreanu B.
;
Linten D.
;
Thean A.
;
Jurczak M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
70.
Silicon-compatible low resistance S/D technologies for high-performance top-gate self-aligned InGaZnO TFTs with UTBB (ultra-thin body and BOX) structures
机译:
硅兼容的低电阻S / D技术,用于具有UTBB(超薄体和BOX)结构的高性能顶栅自对准InGaZnO TFT
作者:
Ota K.
;
Irisawa T.
;
Sakuma K.
;
Tanaka C.
;
Ikeda K.
;
Tezuka T.
;
Matsushita D.
;
Saitoh M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
71.
Vertical device architecture for 5nm and beyond: Device circuit implications
机译:
适用于5nm及更高波长的垂直器件架构:对器件和电路的影响
作者:
Thean A.V.-Y.
;
Yakimets D.
;
Huynh Bao T.
;
Schuddinck P.
;
Sakhare S.
;
Bardon M. Garcia
;
Sibaja-Hernandez A.
;
Ciofi I.
;
Eneman G.
;
Veloso A.
;
Ryckaert J.
;
Raghavan P.
;
Mercha A.
;
Mocuta A.
;
Tokei Z.
;
Verkest D.
;
Wambacq P.
;
De Meyer K.
;
Collaert N.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
72.
Automated driving - Impacts on the vehicle architecture
机译:
自动驾驶-对车辆结构的影响
作者:
Fausten Michael
;
Huck Thorsten
;
Ruhle Armin
;
Baysal Tuelin
;
Kornhaas Robert
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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2015年
73.
Robotics for innovation
机译:
机器人创新
作者:
Hirukawa Hirohisa
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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2015年
74.
Profiting from IoT: the key is very-large-scale happiness integration
机译:
从物联网中获利:关键是超大规模的幸福整合
作者:
Kazuo Yano
;
Akitomi Tomoaki
;
Ara Koji
;
Watanabe Junichiro
;
Tsuji Satomi
;
Sato Nobuo
;
Hayakawa Miki
;
Moriwaki Norihiko
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2015年
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