有机场效应晶体管中迁移率、阈值电压与沟道长度之间的反常依赖关系

摘要

本文通过在硅衬底上制备得到具有不同沟道长度的有机聚合物(DPPTTT)薄膜场效应晶体管器件,研究了沟道长度对有机场效应晶体管器件中的载流子浓度和阈值电压的影响.实验发现,当沟道长度降低到50Ⅳn时,器件的有效载流子迁移率最高,达到0.12cm2/Vs;同时观察到了随着沟道长度的降低,载流子迁移率与阈值电压都有增大的趋势,这与以往观察到由于接触电阻的作用导致的趋势相反(即所谓的短沟道效应).针对这种反常的现象,做了初步的探讨.这些研究内容将为更好地理解有机场效应晶体管的器件物理提高新的观点.