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公开/公告号CN102610532A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-25
原文格式PDF
申请/专利权人 涂嘉晋;李应煌;
申请/专利号CN201110022798.6
发明设计人 涂嘉晋;李应煌;
申请日2011-01-20
分类号H01L21/50;H01L21/60;
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司;
代理人龚燮英
地址 中国台湾臺北县板桥市东丘里7邻中山路二段90巷1号五楼
入库时间 2023-12-18 06:21:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-09-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/50 申请公布日:20120725 申请日:20110120
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-25
公开
机译: 裸片尺寸不相等的异质晶圆的三维晶圆级集成
机译: 适用于不同半导体裸片和/或晶圆的半导体晶圆间键合
机译: 使用蚀刻制造的半导体器件可将晶圆分离为裸片并增加晶圆上的器件空间
机译:使用LTCC晶圆的MEMS晶圆级封装技术
机译:管理晶圆尺寸迁移:壳式晶圆级封装技术的案例研究
机译:鲁道夫的NovusEdge被领先的晶圆制造商选择用于裸晶圆边缘和背面检查
机译:裸露的裸片大体对裸片尺寸比晶圆级封装技术的发展
机译:一种新颖的三维晶圆级芯片级封装技术-制造工艺开发和可靠性表征。
机译:用于无线供电的神经接口系统的薄膜柔性天线和硅CMOS整流器芯片的协同设计方法和晶圆级封装技术
机译:用于无线供电神经接口系统的薄膜柔性天线和硅CmOs整流器芯片的协同设计方法和晶圆级封装技术
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用