金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法

摘要

一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法，其特征在于所述方法包括：采用CVD化学气相沉积金刚石设备，以金刚石单晶为晶种，于700～2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。该方法能够同时实现金刚石单晶的同质内延修复和同质外延生长，其可用于修复现有金刚石的内部空洞和裂纹等缺陷，去除金刚石的内部杂质和颜色，增加其透明度和洁净度，并可以在金刚石单晶外表面的各个取向上同质外延生长，得到纯净的较大尺寸金刚石单晶。该方法实现条件温和，运行成本低，可用于人造和天然金刚石单晶为晶种的修复及生长。