公开/公告号CN101536156A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-09-16
原文格式PDF
申请/专利权人 爱特梅尔公司;
申请/专利号CN200780040638.6
发明设计人 达尔文·G·伊尼克斯;
申请日2007-10-08
分类号H01L21/30;H01L23/58;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人孟锐
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 22:36:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-15
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/30 公开日:20090916 申请日:20071008
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-12-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-09-16
公开
公开
机译: 提供纳米级,高选择性和热回弹硅,锗或硅锗锗止蚀剂的系统和方法
机译: 提供纳米级,高选择性和热回弹硅,锗或硅锗锗止蚀剂的系统和方法
机译: 在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层