公开/公告号CN1953172A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-04-25
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;
申请/专利号CN200510030686.X
申请日2005-10-20
分类号H01L23/544;
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2023-12-17 18:37:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-26
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-04-25
公开
公开
机译: 一种在栅结构顶部制备堆叠的晶体管的工艺以及配备栅结构的场效应晶体管的工艺。
机译: 一种在栅结构顶部制备堆叠的晶体管的工艺以及配备栅结构的场效应晶体管的工艺。
机译: 一种用于制备具有带有金属层的栅电极的场效应晶体管结构的接触装置的方法,以及该方法在单元阵列中生产场效应晶体管装置的用途