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王伟; 马东阁; 高强; 石家纬; 曹军胜;
集成光电子学国家重点联合实验量吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;
中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,吉林长春130022;
中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033;
有机薄膜晶体管; 存储效应; 光响应;
机译:电极金属的界面氧化物层对带有HfO_2栅介质的有机薄膜晶体管电学特性的影响
机译:基于聚(甲基丙烯酸2-羟乙酯)聚合物多层电介质的有机薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:浮栅有机薄膜晶体管非易失性存储器中光辅助编程的多级存储特性
机译:使用聚合物电介质的有机薄膜晶体管中的电荷传输特性和存储效应
机译:利用膦酸酯单层处理的栅极电介质的改进的有机薄膜晶体管。
机译:从封面开始:用于低压有机薄膜晶体管的σ-π分子电介质多层
机译:有机与有机无机混合聚合物栅电介质有机薄膜晶体管的特性
机译:使用逐层组装制备有机薄膜晶体管(预印本)
机译:作为显示装置用开关元件的有机薄膜晶体管,具有栅电极,栅绝缘层,源漏电极,有机半导体层,亲水性粘接剂层和疏水性粘接剂层。
机译:包括纳米晶导电碳层的栅电极的有机薄膜晶体管,其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的有机半导体器件
机译:有机薄膜晶体管,即顶栅有机薄膜晶体管,其制造方法包括将由有机半导体材料制成的半导体层置于源极和漏极之间的中间层上
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