降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法

摘要

一种制作多晶硅栅极晶体管的方法，首先提供一基底；在该基底表面上形成栅极介电层；在该栅极介电层上沉积多晶硅层；将非晶硅化物种注入该多晶硅层中，藉此将该多晶硅层的上部非晶硅化；进行离子掺杂，将离子注入该多晶硅层中；对该多晶硅层进行退火，同时活化注入该多晶硅层中的该离子；将该多晶硅层蚀刻成栅极结构；在该栅极结构两侧的该基底中形成漏极/源极。