Field effect transistors; Metal oxide semiconductors; Semiconducting films; Silicon; Electron mobility; Silicon dioxide; Aluminum; Reprints;
机译:多晶硅缓冲层对带有SiN封盖的应变n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的性能和可靠性的影响
机译:高温退火降低(110)Si衬底表面粗糙度对(110)Si上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:采用前栅极工艺制造的Hf-Si / HfO_2栅堆叠的低阈值电压和高迁移率N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于N沟道镓砷化物金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的原位表面钝化和金属栅/高k电介质叠层形成
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:具有ZrO2栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正偏置温度不稳定性
机译:电离辐射对siO2区熔融 - 再结晶硅薄膜制备n沟道mOsFET的影响