制造表面发射半导体激光器中的掩埋式隧道结的方法

摘要

本发明涉及制造表面发射半导体激光器中的掩埋式隧道结(1)的方法、及此类型的激光器。所述激光器包括由第一n掺杂半导体层(6)和至少一个p掺杂半导体层(3、4)围绕的含pn结的有源区(5)，以及有源区(5)的p侧上的隧道结(1)，所述隧道结邻接第二n掺杂半导体层(2)。为掩埋隧道结(1)，用于隧道结(1)的层在第一步骤中使用材料选择性蚀刻被横向地去除，直至达到所需直径，并在第二步骤中在适合的气氛下被加热，直至蚀刻区域(1a)被来自邻接隧道结(1)的半导体层(2、3)中的至少一个的物质输运封闭。这使得可以以简单的技术大产量地制造表面发射激光二极管，允许横单模工作稳定和后者的高性能。