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p型GaAs基板ZnSe系pin光电二极管及p型GaAs基板ZnSe系雪崩光电二极管

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摘要

本发明提供一种对蓝色－紫色－近紫外光灵敏的、暗电流低的、可靠性高的ZnSe系光电二极管，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度连续变化的超晶格；在超晶格上外延生长的p型Zn

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-31

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/10 授权公告日:20060524 终止日期:20110826 申请日:20030826

专利权的终止
2006-05-24

授权

授权
2004-06-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-04-07

公开

公开

1. p型GaAs基板ZnSe系pin光电二极管及p型GaAs基板ZnSe系雪崩光电二极管 [P] . 中国专利： CN1487601A . 2004-04-07
2. P型GaAs基板ZnSe系pin/雪崩光电二极管 [P] . 中国专利： CN1257559C . 2006.05.24
3. p-type GaAs substrate ZnSe-based avalanche photodiode and a p-type GaAs substrate ZnSe-based photodiode [P] . 日本专利： JP3912226B2 . 2007-05-09

机译： p型GaAs衬底ZnSe基雪崩光电二极管和p型GaAs衬底ZnSe基光电二极管
4. P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM PHOTODIODE AND P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM AVALANCHE PHOTODIODE [P] . 韩国专利： KR20040018913A . 2004-03-04

机译： P型GaAs衬底ZnSe系统光电二极管和P型GaAs衬底ZnSe系统的雪崩光电二极管
5. P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM PHOTODIODE AND P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM AVALANCHE PHOTODIODE [P] . 日本专利： JP2004087655A . 2004-03-18

机译： P型GaAs衬底ZnSe系统光电二极管和P型GaAs衬底ZnSe系统的雪崩光电二极管