(ZnSe/CdSe)ZnSe/GaAs(001)多量子阱材料的X射线双晶衍射研究

摘要

给出了通过测量3条X射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法,并对(CdSe/ZnSe)ZnSe/GaAs(001)多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究.结果表明:ZnSe缓冲层与衬底之间的界面共格度接近于零,而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格,表明多量子阱结构有较好的结构完整性.缓冲层与衬底之间有晶向偏角,而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角.在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰.多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小20%～30%,说明生长过程中存在表面原子的逃逸,致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变.还讨论了X射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别.