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减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件

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摘要

跨越电元件(1)周围的沟槽的导体(13)电连接到隔离的中间导电区(15),从而将场强集中移到电元件(1)之外,移到中间导电区(14)内。这样便可以防止电元件(1)中发生雪崩击穿。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-02-06

发明专利申请公布后的驳回

发明专利申请公布后的驳回
2004-10-06

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040903 申请日:19980324

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2000-06-28

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2000-06-21

公开

公开

1. 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件 [P] . 中国专利： CN1257611A . 2000-06-21
2. 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件 [P] . 中国专利： CN1438712A . 2003-08-27
3. Epitaxial silicon growth and usage of epitaxial gate insulator for low power, high performance devices [P] . 美国专利： US6624488B1 . 2003-09-23

机译：外延硅的生长以及外延栅绝缘体在低功率，高性能器件中的使用
4. Method of making silicon-insulator-polysilicon infrared image device utilizing epitaxial deposition and selective etching [P] . 美国专利： US4142925A . 1979-03-06

机译：利用外延沉积和选择性刻蚀制造硅绝缘体-多晶硅红外图像器件的方法
5. Method for forming an extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) device having reduced parasitic capacitance and contact resistance due to wrap-around structure of source/drain regions [P] . 美国专利： US10170628B2 . 2019-01-01

机译：形成极薄的绝缘体上硅（ETSOI）器件的方法，该器件由于源极/漏极区的环绕结构而具有减小的寄生电容和接触电阻