晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法

摘要

本发明提供了一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。本发明的晶圆凸块可以防止第一金属层氧化。本发明的晶圆凸块的制造方法，工艺简单，制得的晶圆凸块抗氧化性高，且可以抵抗两种金属之间存在电位差而造成的贾凡尼效应。