退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111341371A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201911174781.5
发明设计人 P-C·江;
申请日2019-11-26
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 10:03:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/10 申请日:20191126
实质审查的生效
2020-06-26
公开
机译: 响应于存储器单元年龄的指示,用于编程存储器单元的装置和方法
机译: 存储器单元,非易失性存储器阵列,操作存储器单元的方法,对存储器单元进行读写的方法以及对存储器单元进行编程的方法
机译:用于90 nm逻辑非易失性存储器应用的源极侧注入编程P沟道自对准氮化物一次性编程单元
机译:在SOI(FBC)上使用单晶体管增益单元的存储器具有适合嵌入式DRAM的性能-单元特性和存储器性能的测量结果
机译:用于多级闪存单元存储器的热载流自收敛编程方法
机译:可编程金属化单元存储器,用于柔性电子产品。
机译:几何固定的磁畴壁用于每个单元存储存储器多位
机译:VHDL中描述的用于浮动栅极模拟型存储器单元的编程环境
机译:用于超级计算机大容量存储器的磁阻HCTs存储器单元