相变存储器单元总剂量辐射效应的研究

摘要

通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示，辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化，相变特性稳定，相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明，基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力.