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IEEE International Reliability Physics Symposium
IEEE International Reliability Physics Symposium
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1.
The separation of superimposed ultrasonics pulse echo signals for semiconductor failure analysis using scanning acoustic tomography (S.A.T.)
机译:
使用扫描声学断层扫描的半导体故障分析叠加超声波脉冲回波信号的分离(S.A.T.)
作者:
Hyoseong Jang
;
Jhang K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
2.
Effects of focused ion beam irradiation on MOS transistors
机译:
聚焦离子束辐射对MOS晶体管的影响
作者:
Campbell A.N.
;
Peterson K.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
3.
Life tests and failure mechanisms of GaN/AlGaN/InGaN light emitting diodes
机译:
GaN / AlGan / Ingan发光二极管的寿命试验和失效机制
作者:
Barton D.L.
;
Osinski M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
4.
The effects of nitrogen implant into gate electrode on the characteristics of dual-gate MOSFETs with ultra-thin oxide and oxynitrides
机译:
氮气植入物对栅电极对具有超薄氧化物和氮氧化物双栅MOSFET特性的影响
作者:
Chou A.I.
;
Lin C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
5.
Latchup characterization of high energy ion implanted new CMOS twin wells that comprised the BILLI (buried implanted layer for lateral isolation) and BL/CL (buried layer/connecting layer) structures
机译:
高能量离子植入新的CMOS双孔的锁存表征,其包括Billi(横向隔离层)和BL / CL(掩埋层/连接层)结构的Billi(掩埋植入层)
作者:
Jong-Kwan Kim
;
Seong-Hyung Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
6.
Key hot-carrier degradation model calibration and verification issues for accurate AC circuit-level reliability simulation
机译:
用于精确的AC电路级可靠性模拟的关键热载流量劣化模型校准和验证问题
作者:
Wenjie Jiang
;
Huy Le
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
7.
Device degradation due to stud bumping above the MOSFET region and the effect of annealing on the degradation
机译:
由于在MOSFET区域上方的螺柱撞击引起的装置劣化以及退火对降解的影响
作者:
Shimoyama N.
;
Machida K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
8.
Determination of ultra-thin oxide voltages and thickness and the impact on reliability projection
机译:
确定超薄氧化物电压和厚度和对可靠性投影的影响
作者:
Wu E.
;
Lo S.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
9.
Temperature cycling and thermal shock failure rate modeling
机译:
温度循环和隔热防震率造型
作者:
Blish R.C. III
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
10.
Study of a 3D phenomenon during ESD stresses in deep submicron CMOS technologies using photon emission tool
机译:
使用光子发射工具在深亚微米CMOS技术期间ESD胁迫期间的3D现象研究
作者:
Salome P.
;
Leroux C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
11.
Recent problems in electromigration testing
机译:
电迁移测试中的近期问题
作者:
Baerg B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
12.
Effect of texture on the electromigration of CVD copper
机译:
质地对CVD铜电迁移的影响
作者:
Changsup Ryu
;
Loke A.L.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
13.
A compact model of holding voltage for latch-up in epitaxial CMOS
机译:
在外延CMOS中的闩锁电压紧凑模型
作者:
Ming-Jer Chen
;
Chin-Shan Hou
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
14.
Interaction between water and fluorine-doped silicon oxide film deposited by PECVD
机译:
PECVD沉积的水和氟掺杂氧化硅膜之间的相互作用
作者:
Yoshimaru M.
;
Koizumi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
15.
Oxide breakdown mechanism and quantum physical chemistry for time-dependent dielectric breakdown
机译:
用于时间依赖性介电击穿的氧化物击穿机构和量子物理化学
作者:
Kimura M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
16.
Characterization of bitline stress effects on flash cell after program/erase cycle
机译:
编程/擦除循环后闪电池对闪电线应力影响的特征
作者:
Liu V.C.
;
Guo J.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
17.
Focused-ion-beam-induced insulator deposition at decreased beam current density
机译:
聚焦 - 离子束诱导的绝缘体沉积在减小光束电流密度下
作者:
Abramo M.
;
Adams E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
18.
Hot carrier self convergent programming method for multi-level flash cell memory
机译:
用于多级闪存单元存储器的热载流自收敛编程方法
作者:
Candeller Ph.
;
Mondon F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
19.
Gate stack reliability improvements using controlled ambient processing
机译:
使用受控环境处理的栅极堆栈可靠性改进
作者:
Schuegraf K.F.
;
Thakur R.P.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
20.
Reliability of high aspect ratio plated through holes (PTH) for advanced printed circuit board (PCB) packages
机译:
通过孔(PTH)为先进的印刷电路板(PCB)封装的高纵横比电镀的可靠性
作者:
Goval D.
;
Azimi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
21.
Accelerated gate-oxide breakdown in mixed-voltage I/O circuits
机译:
混合电压I / O电路中加速栅极氧化物分解
作者:
Furukawa T.
;
Turner D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
22.
Degradation in (Ba,Sr)TiO/sub 3/ thin films under DC and dynamic stress conditions
机译:
DC下的(BA,SR)TiO / Sub 3 /薄膜的降解和动态应力条件
作者:
Horikawa T.
;
Kawahara T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
23.
Towards a nondestructive procedure for characterization of molding compounds
机译:
朝向模塑化合物表征的无损程序
作者:
Canumalla S.
;
Kessler L.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
24.
Flip chip underfill reliability of CSP during IR reflow soldering
机译:
红外芯片在红外回流焊期间CSP的可靠性
作者:
Ohshima Y.
;
Nakazawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
25.
New screening concept for deep submicron CMOS VLSIs using temperature characteristics of leakage currents in MOS devices
机译:
使用MOS器件漏电流温度特性的深亚微米CMOS VLSIS的新筛选概念
作者:
Shimaya M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
26.
Short-timescale thermal mapping of interconnects
机译:
互连的短时间的热映射
作者:
Yongho Sungtaek Ju
;
Goodson K.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
27.
Evidence of electron-hole cooperation in SiO/sub 2/ dielectric breakdown
机译:
SiO / Sub 2 /介电击穿中电子孔合作的证据
作者:
Satake H.
;
Takagi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
28.
Reliability and alleviation of premature on-state avalanche breakdown in deep submicron power PHEMTs
机译:
深度亚微米电力PHEMTS在深亚州雪崩故障的可靠性和减轻
作者:
Chou Y.C.
;
Li G.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
29.
New understanding of LDD CMOS hot-carrier degradation and device lifetime at cryogenic temperatures
机译:
LDD CMOS热载波劣化和设备寿命的新认识在低温温度下
作者:
Wang-Ratkovic J.
;
Lacoe R.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
30.
Scaling down of tunnel oxynitride in NAND flash memory: oxynitride selection and reliabilities
机译:
在NAND闪存中划分隧道氧氮化物:氧氮化物选择和可靠性
作者:
Jonghan Kim
;
Jung Dal Choi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
31.
Impact of boron penetration on gate oxide reliability and device lifetime in p/sup +/-poly PMOSFETs
机译:
硼渗透对P / SUP +/-息肉MOSFET栅极氧化物可靠性和器件寿命的影响
作者:
Kim B.Y.
;
Liu I.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
32.
A new technique to measure an oxide trap density in a hot carrier stressed n-MOSFET
机译:
一种测量热载体中氧化阱密度的新技术应力N-MOSFET
作者:
Tahui Wang
;
Chiang L.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
33.
Characterization and modeling of a highly reliable metal-to-metal antifuse for high-performance and high-density field-programmable gate arrays
机译:
高性能和高密度现场可编程门阵列高度可靠的金属对金属反空性的表征和建模
作者:
Chih-Ching Shih
;
Lambertson R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
34.
Electrical reliability of metal-organic chemical vapor deposited high permittivity TiO/sub 2/ dielectric metal-oxide-semiconductor field effect transistors
机译:
金属 - 有机化学气相沉积的高介电常数/亚2 /介电金属 - 氧化物半导体场效应晶体管的电气可靠性
作者:
Hyeon-Seag Kim
;
Campbell S.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
35.
Emerging role of semiconductor process equipment to overcome device failure mechanisms
机译:
半导体工艺设备克服设备故障机制的新兴作用
作者:
Sinha A.K.
;
Moghadam F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
36.
Current gain long-term instability of AlGaAs/GaAs HBT: physical mechanism and SPICE simulation
机译:
Algaas / GaAs HBT的电流增益长期不稳定性:物理机制和香料仿真
作者:
Sheu S.
;
Lieu J.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
37.
Influence of water absorption of dielectric underlayers on Al(111) crystallographic orientation in Al-Si-Cu/Ti/TiN/Ti layered structures
机译:
Al-Si-Cu / Ti / Ti / Ti层结构中Al(111)晶体取向的介电下层对介电下层的影响
作者:
Yoshida T.
;
Hashimoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
38.
Impacts of plasma process-induced damage on ultra-thin gate oxide reliability
机译:
等离子过程诱导损伤对超薄栅极氧化物可靠性的影响
作者:
Eriguchi K.
;
Yamada T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
39.
Correlations between initial via resistance and reliability performance
机译:
初始通过电阻和可靠性性能之间的相关性
作者:
Graas C.D.
;
Le H.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
40.
Using I/sub DDQ/ drift testing to detect hydrogen in MOS devices
机译:
使用I / SUB DDQ /漂移测试检测MOS器件中的氢气
作者:
Sabin E.
;
Nagalingam S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
41.
The effect of hot electron stress on the DC and microwave characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs
机译:
热电子应力对GaAs-PhEMTS和INP-HEMTS的DC和微波特性的影响
作者:
Menozzi R.
;
Borgarino M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
42.
Characterization of flip chip interconnect failure modes using high frequency acoustic micro imaging with correlative analysis
机译:
用高频声学微量成像具有相关分析的倒装芯片互连失效模式的表征
作者:
Semmens J.E.
;
Kessler L.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
43.
Investigation of oxide charge trapping and detrapping in a n-MOSFET
机译:
N-MOSFET中氧化物电荷捕获和脱落的研究
作者:
Tahui Wang
;
Tse-En Chang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
44.
Screening for early and rapid degradation in GaAs/AlGaAs HBTs
机译:
在GaAs / Algaas Hbts中筛选早期和快速降解
作者:
Henderson T.
;
Tutt M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
45.
Via delamination-a novel electromigration failure mechanism
机译:
通过分层 - 一种新型电迁移失效机制
作者:
Lee Y.-H.
;
Wu K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
46.
NBTI-channel hot carrier effects in PMOSFETs in advanced CMOS technologies
机译:
NBTI通道在高级CMOS技术中PMOSFET中的热载波效应
作者:
La Rosa G.
;
Guarin F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
47.
Maximum safe reverse emitter voltage in bipolar transistors for reliable 10 year operation
机译:
双极晶体管中的最大安全反向发射极电压,可靠的10年操作
作者:
Scarpulia J.
;
Dunkley J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
48.
A novel methodology for reliability studies in fully-depleted SOI MOSFETs
机译:
全耗尽SOI MOSFET中可靠性研究的一种新型方法
作者:
Banna S.R.
;
Chan P.C.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
49.
An empirical lifetime projection method for laser diode degradation
机译:
激光二极管劣化的经验终身投影方法
作者:
Nam Hwang
;
Seung-Goo Kang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
50.
Study of a CMOS I/O protection circuit using circuit-level simulation
机译:
使用电路级仿真研究CMOS I / O保护电路
作者:
Li T.
;
Suh D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
51.
Characterization of contact and via failure under short duration high pulsed current stress
机译:
在短时间内的接触和通过故障表征高脉冲电流应力
作者:
Banerjee K.
;
Amerasekera A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
52.
Impact of passivation film deposition and post-annealing on the reliability of flash memories
机译:
钝化膜沉积的影响和后退火对闪存可靠性的影响
作者:
Shuto S.
;
Tanaka M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
53.
Enhancement of hot-carrier induced degradation under low gate voltage stress due to hydrogen for NMOSFETs with SiN films
机译:
具有SIN薄膜的NMOSFET引起的低栅极电压应力下热载波诱导降解的热载体诱导降解
作者:
Tokitoh S.
;
Uchida H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
54.
Rapid degradation of InGaAsP/InP laser diodes due to copper contamination
机译:
由于铜污染而快速降解InGaASP / INP激光二极管
作者:
Fujihara K.
;
Ishino M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
55.
Effect of Al-W intermetallic compounds on electromigration in Al/CVD-W interconnects
机译:
Al-W金属间化合物对Al / CVD-W互连电迁移的影响
作者:
Sekiguchi M.
;
Yamanaka M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
1997年
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