退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111355122A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 光电子株式会社;
申请/专利号CN201910862055.6
发明设计人 李亨株;
申请日2019-09-12
分类号
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人赵赫
地址 韩国全罗北道
入库时间 2023-12-17 09:59:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
公开
机译: 具有高扩散区的电流扩散层的高效氧化VCSEL及其制造方法
机译: 杂质扩散层形成成分,N型扩散层形成成分,N型扩散层的制造方法,P型扩散层的形成成分,P型扩散层的制造方法以及制造方法
机译: 杂质扩散层形成组合物,n型扩散层形成组合物,n型扩散层的制造方法,p型扩散层形成组合物,p型扩散层的制造方法以及制造方法
机译:通过无电介质方法制造的低阈值电流密度,低电阻氧化物限制的VCSEL
机译:包括阳极氧化氧化铝膜的结构及其制造方法及其使用
机译:用超薄栅极氧化物仿真纳米尺度MOSFET,包括全2型二维量子机械效应和门隧道电流
机译:氧化物受限垂直腔面发射激光器(VCSEL)中稳态电流分布的迭代模型
机译:使用新型3D打印技术制造PEM燃料电池的气体扩散层并对遇到的挑战进行关键评估
机译:电流调节下α型TITYL二氧化型层电沉积和畸变快速测量方法
机译:氧化物限制VCsEL的制造问题