850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

张永明; 钟景昌; 赵英杰; 郝永芹; 李林; 王玉霞; 苏伟

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率效率由0．3mW／mA降到0．2mW／mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K，器件的基模红移为0．11nm／mW，实验确定其热阻为2．02℃／mW．

著录项

来源
《半导体学报》 |2005年第5期|1024-1027|共4页
作者
张永明; 钟景昌; 赵英杰; 郝永芹; 李林; 王玉霞; 苏伟;
展开▼
作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
垂直腔面发射激光器; 氧化物限制; 温度特性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 交流线路用金属氧化物避雷器的伏安温度特性研究 [J] . 周啸宇 ,周路遥 ,李特 . 中国测试 . 2021,第007期
2. 金属氧化物避雷器V-A温度特性研究 [J] . 蔡汉生 ,廖传民 ,郭洁 . 电瓷避雷器 . 2019,第004期
3. 温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响 [J] . 徐晖 ,田晓波 ,步凯 . 物理学报 . 2014,第009期
4. 固体氧化物燃料电池温度特性的T-S模糊建模 [J] . 许川佩 ,杨帆 ,曹红亮 . 计算机工程与应用 . 2010,第018期
5. 无间隙金属氧化物避雷器运行状态特征参数温度特性研究 [J] . 郭洁 ,王森 ,冯敏 . 电瓷避雷器 . 2006,第002期
6. 高性能850nm氧化限制型VCSELs研究 [C] . 岳爱文 ,王任凡 ,沈坤 . 全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO'2003) . 2003
7. 稀土掺杂氧化物的上转换发光及其温度传感特性 [A] . 李坤 . 2021

850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅